Kurzschlussschutz mit isolierten Gate-Treibern

Kurzschlussschutz mit isolierten Gate-Treibern

17. August 2021

Gate-Treiber

Gate-Treiber sind die erste Verteidigungslinie gegen Kurzschlussfehler bei Leistungshalbleitergeräten. Beim Vergleich verschiedener Typen von Leistungshalbleitertechnologien - z. B. IGBTs gegen Siliziumkarbid - gibt es Unterschiede in der Kurzschlussfestigkeit. In diesem Tech-Chat werden die Gründe für den Ausfall von SiC-Modulen erörtert und wie die schnelle Fehlererkennung und der Schutz eines Gate-Treibers die Zuverlässigkeit eines SiC-Bauteils verbessern können.

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Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.