SiC MOSFET Rdson über Temperatur

SiC MOSFET Rdson über Temperatur

17. August 2021

Siliziumkarbid

Dieser Tech Chat hilft Entwicklungsingenieuren, besser zu verstehen, wie der Rds(on) der SiC-MOSFETs von Wolfspeed im Vergleich zu anderen verfügbaren Technologien wie GaN, Silizium oder anderen SiC-Bauteilen ist.

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Wolfspeed SiC-Zuverlässigkeit

Da sich viele Stromversorgungsdesigner auf die Qualifizierung von Siliziumkarbid-Bauteilen, die Zuverlässigkeit und die Konsistenz der Versorgung konzentrieren, gehen wir näher darauf ein, wie Wolfspeed die Unterschiede zwischen Zuverlässigkeits- und Qualifizierungstests hervorhebt.

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Über unser Expertenteam

Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.