Galliumnitrid (GaN)
Galliumnitrid, ein Halbleiter mit breiter Bandlücke, verdrängt zunehmend Silizium als Material der Wahl für Leistungstransistoren. Mit ihren überlegenen Materialeigenschaften und ihrer einfachen Anwendung ermöglichen die GaN E-HEMTs von Gan Systems den Entwicklern, neue Maßstäbe für Effizienz, Leistungsdichte, Größe und Gewicht zu setzen.
Wir führen und unterstützen die folgenden Produkte Galliumnitrid (GaN)
Innoscience
Das INN100W14 wurde unter Verwendung hochwertigster Materialien und modernster Fertigungsverfahren hergestellt. Das Ergebnis ist ein hocheffizientes und äußerst zuverlässiges Gerät.
- GaN-auf-Silizium E-Mode HEMT-Technologie
- Zweikanalig, gemeinsame Quelle
- Ultrahohe Schaltfrequenz
- Schnelle und steuerbare Abfall- und Anstiegszeit
- Extrem widerstandsarm
Innoscience
650V GaN-on-Silicon Enhancement-mode Leistungstransistor im Dual Flat No-lead Gehäuse (DFN) mit 8 mm × 8 mm Größe.
- Transistor im Anreicherungsmodus - Normalerweise ausgeschalteter Leistungsschalter
- Ultrahohe Schaltfrequenz
- Keine Umkehrung der Steuerschuldnerschaft
- Niedrige Gate-Ladung, niedrige Ausgangsladung
Galliumnitrid (GaN) Ressourcen
Es wurden keine Daten gefunden
Ausgewählte Hersteller Galliumnitrid (GaN)
