10. März 2021 - Genf, III:
Richardson RFPD, Inc. gab heute die Verfügbarkeit und den vollen Design-Support für drei neue 120 mΩ, 650 V SiC MOSFETs von Wolfspeed, einem Cree Unternehmen, bekannt.
Das 650-V-SiC-MOSFET-Portfolio von Wolfspeed basiert auf der neuesten C3M™-SiC-MOSFET-Technologie der dritten Generation, die den breitesten Bereich an Durchlasswiderständen, die branchenweit niedrigsten Durchlasswiderstände in einem diskreten Gehäuse sowie niedrige Schaltverluste bietet und so eine hohe Effizienz und Leistungsdichte ermöglicht.
Die neuen SiC-MOSFETs mit 120 mΩ und 650 V sind sowohl in durchkontaktierten (TO-247-3, TO-247-4) als auch oberflächenmontierten (TO-263-7) Gehäusen erhältlich:
FÜR DETAILS KONTAKTIEREN SIE
DAVE ROSSDEUTCHER
Direktorin für globales Produktmanagement - Energie und Leistung
P: 630 262 6800
drossdeutcher@richardsonrfpd.com
Teil Nummer | Blockierspannung (V) | RDS(on) (mΩ) | (ID) @ 25° C (A) | Paket |
|---|---|---|---|---|
C3M0120065D | 650 | 120 | 22 | TO-247-3 |
C3M0120065K | 650 | 120 | 22 | TO-247-4 |
C3M0120065J | 650 | 120 | 21 | TO-263-7 |
Weitere wichtige Merkmale der 650-V-SiC-MOSFETs von Wolfspeed sind:
- Überlegene Gesamteffizienz auf Systemebene
- Hochfrequenzbetrieb
- Robuste Body-Diode mit geringer Sperrschichtladung
- Kelvin-Source-Anschluss zur Reduzierung von parasitärer Induktivität und Schaltverlusten
- Industriestandard-Gehäuse, die die Anforderungen an Kriech- und Luftstrecken erfüllen
Zu den Zielanwendungen gehören:
- Server-Netzteile
- EV-Ladesysteme
- Energiespeichersysteme (UPS)
- Solar(PV)-Wechselrichter
Um weitere Informationen zu erhalten, Muster anzufordern oder diese Produkte noch heute online zu erwerben, besuchen Sie die Wolfspeed 650 V SiC MOSFETs Webseite. Die Geräte sind auch unter der Rufnummer 1-800-737-6937 (innerhalb Nordamerikas) erhältlich; oder Sie finden einen lokalen Vertriebsingenieur (weltweit) unter Local Sales Support. Informationen über weitere Produkte von Wolfspeed finden Sie auf der Wolfspeed-Storefront-Webseite.
