Richardson RFPD kündigt Lagerverfügbarkeit des neuen 18 W, X-Band High Power Amplifiers von UMS an

Richardson RFPD kündigt Lagerverfügbarkeit des neuen 18 W, X-Band High Power Amplifiers von UMS an

Vielseitiger CHA8612-QDB GaN auf SiC MMIC im QFN-Gehäuse

NEWS-MITTEILUNG

2001 Butterfield Road, Suite 1800
Downers Grove, IL. 60515

P: 630 262 6800

F: 630 262 6850

18. Januar 2024 - GENEVA, Illinois: Richardson RFPD, Inc., ein Unternehmen von Arrow Electronics, gab heute die Verfügbarkeit eines neuen Galliumnitrid-auf-Siliziumkarbid-Hochfrequenz-Leistungsverstärkers von United Monolithic Semiconductors auf Lager bekannt und bietet umfassenden Design-Support.

Der CHA8612-QDB ist ein zweistufiger Hochleistungsverstärker, der zwischen 7,9 und 11 GHz arbeitet. Er bietet eine gesättigte Ausgangsleistung von 18 W (typisch) und einen Leistungszusatzwirkungsgrad von 40 %. Der integrierte Schaltkreis wird mit einem GaN-HEMT-Prozess, 0,25 µm Gatelänge, Durchgangslöchern durch das Substrat, Luftbrücken und Elektronenstrahl-Gate-Lithographie hergestellt.

Es ist vielseitig einsetzbar, von militärischen bis hin zu kommerziellen Radar- und Kommunikationssystemen.

Weitere wichtige Merkmale des CHA8612-QDB sind:

  • Lineare Verstärkung: 26 dB
  • DC-Vorspannung: Vd=30 V @ IDQ=680 mA
  • MSL 3
  • 46-poliges, 7×7 mm großes QFN-Gehäuse

 

Weitere Informationen und die Möglichkeit, dieses Produkt noch heute online zu erwerben, finden Sie auf der CHA8612-QDB-Webseite. Das Gerät ist auch unter der Telefonnummer 1-800-737-6937 (innerhalb Nordamerikas) erhältlich, oder Sie finden einen lokalen Vertriebsingenieur (weltweit) unter Local Sales Support. Informationen über weitere Produkte von United Monolithic Semiconductors finden Sie auf der UMS-Webseite.

FÜR DETAILS KONTAKTIEREN SIE

MARK VITELLARO
Direktor für strategisches Marketing
P: 630 262 6800
mvitellaro@richardsonrfpd.com

UM CHA8612-QDB