Ziel dieses Anwendungshinweises ist es, Anwendern von Cree-Bauelementen mit breitem Bandabstand einen Leitfaden für die thermische Leistung von Hochleistungs-SiC-MESFET- und GaN-HEMT-Transistoren an die Hand zu geben. Er erläutert die Methodik, die Cree zur Bestimmung der in den Datenblättern aufgeführten Wärmewiderstandswerte anwendet. Wie bei allen Halbleiterbauelementen hängt die Zuverlässigkeit von SiC MESFET- und GaN HEMT-Bauelementen direkt von der maximalen Betriebskanaltemperatur ab. Daher ist es wichtig, mit einem hohen Maß an Sicherheit zu bestimmen, wie hoch die maximale Kanaltemperatur bei bestimmten Betriebsarten ist, insbesondere bei Produkten, die unter CW betrieben werden und große Mengen thermischer Energie abführen.