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Besonderes GaN für Avionik und Radar
Mit einer jahrzehntelangen Tradition bei HF-Leistungsbauelementen bietet Microchip hochleistungsfähige diskrete CW- und gepulste HF- und Mikrowellen-Transistorprodukte auf Basis von GaN auf SiC und HEMT (High Electron Mobility Transistor) bis 14 GHz sowie MMIC-Verstärker bis 32 GHz für den Einsatz in der Luft- und Raumfahrt, im Verteidigungsbereich sowie in kommerziellen Radar-, Kommunikations- und Industrieanwendungen. Diese Bauelemente sind in Bare Die-, Kunststoff-QFN/DFN-Gehäusen, Pill- und Flansch-Keramikgehäusen sowie in modularen 50 Ω-Eingangs-/Ausgangs-Paletten erhältlich.
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Transponder für die Avionik
1011GN-1200V: 1030-1090 MHz GaN-HEMT
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Primäres L-Band-Radar
1214GN-1200VG: 1,2-1,4 GHz GaN-HEMT
1011GN-1200V: 1030-1090 MHz GaN-HEMT
Der 1214GN-1200VG ist ein intern angepasster COMMON SOURCE-GaN-auf-SiC-HEMT-Transistor der Klasse AB, der eine Verstärkung von über 16,3 dB, einen Drain-Wirkungsgrad von 53 % und eine gepulste HF-Ausgangsleistung von 1200 W bei einer Pulsbreite von 300 μs und einem Tastverhältnis von 10 % im Bereich von 1200-1400 MHz bietet. Der Transistor verfügt über eine interne Voranpassung für optimale Leistung und ist ideal für den Einsatz in gepulsten L-Band-Primärradar-Ausgangsstufen.
Kommerzielles Radar und A&D
ICP0349P: 2,7-3,5 GHz 2-stufiger GaN MMIC-Leistungsverstärker-IC
Der ICP0349P ist ein zweistufiger Leistungsverstärker mit 50 Ohm und integrierten DC-Sperrkondensatoren in einem Kunststoff-QFN-Gehäuse. Der auf einem 0,25um-GaN-auf-SiC-Prozess gefertigte Baustein arbeitet im Bereich von 2,7-3,5 GHz mit über 48 dBm Ausgangsleistung und 60 % PAE und ist sowohl für kommerzielle als auch für militärische Radaranwendungen gut geeignet.
S-Band-Radar
2729GN-300VP: 300 W, 50 V, 2700-2900 MHz-Leistungsverstärker-Palette
Der 2729GN-300VP ist eine auf 50 Ohm abgestimmte Eingangs- und Ausgangspalette, auf der der Transistor 2729GN-300V verwendet wird. Die Palettenkonstruktion verwendet die besten Herstellungspraktiken, was zu höchster Qualität und Zuverlässigkeit führt und gleichzeitig die niedrigsten Gesamtkosten für das hergestellte System liefert.
SATCOM, A&D, 5G
ICP2840-1-110I: 27,5-31 GHz 9 W GaN PA MMIC
Der ICP2840 ist ein symmetrischer Ka-Band-MMIC-Leistungsverstärker mit einer gesättigten Ausgangsleistung von 39 dBm im CW-Betrieb. Der in GaN-SiC-Technologie gefertigte ICP2840 arbeitet von 27,5 bis 31 GHz mit 28 % PAE und 24 dB Kleinsignalverstärkung.
Kommunikationssysteme und Radar
ICP1639-1-110I: 14,5-17,5 GHz RF-Leistungsverstärker
Der ICP1639-DIE ist ein dreistufiger GaAs-Leistungsverstärker-MMIC mit einer Betriebsfrequenz von 14,5-17,5 GHz. Der PA hat eine gepulste gesättigte Ausgangsleistung von 39 dBm und eine Verstärkung von 20 dB.
