MACOM Allzweck-GaN-HEMTs für 28 V RF

Die unübertroffenen 28-V-RF-GaN-Transistoren von MACOM eignen sich für eine Vielzahl von Anforderungen an RF-Verstärkersysteme. Diese Breitbandtransistoren werden in Crees extrem zuverlässigem GaN-on-SiC-Prozess hergestellt und eignen sich für Ihr nächstes Projekt. Diese Transistoren sind mit einer gesättigten Leistung von 15 W bis 220 W und einer Betriebsfrequenz von bis zu 6 GHz erhältlich und stellen somit die Grundbausteine für eine Vielzahl von HF-Verstärkeraufbauten dar. Zusammen mit den präzisen MACOM-Großsignalmodellen, Software-Referenzdesigns und dem Support von Richardson RFPD haben Sie alles, was Sie brauchen, um Ihr Projekt pünktlich und unter dem Budget abzuschließen.