MACOM bietet ein hochleistungsfähiges X-Band-Portfolio mit einer Vielzahl von Leistungsstufen zur Optimierung der Systemleistung sowie Backend-Support-Tools zur Unterstützung bei der Systementwicklung und -integration.
Die GaN on SiC-Lösungen von MACOM eignen sich hervorragend für gepulste und CW-X-Band-Anwendungen. Mit einer Vielzahl von Leistungsstufen, hoher Verstärkung/Stufe und hoher Leistungszusatzeffizienz (PAE) unterstützen die Lösungen von MACOM kontinuierliche Verbesserungen bei SWaP-C-Benchmarks.
Wichtigste Vorteile
Wesentliche Merkmale
X-Band GaN auf SiC-Lösungen
Teil Nummer | Frequenz (GHz) | Psat (W) | Verstärkung (dB) | Wirkung (%) | Spannung | Gerät | Paket | Beurteilungsausschuss | Anmerkungen | CMPA851A005S | 8.5-10.5 | 4.5 | 31 | Anfrage | 28 | MMIC | SMT | K.A. | Neu! Höchster Wirkungsgrad GaN |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CGHV1F006S | 8.4-9.6* | 7 | 14.5 | 52 | 40 | Transistor | SMT | Beurteilungsausschuss | *abgestimmte EVB 8,5-9,6GHz EVB |
CMPA901A020S | 9-10 | 20 | 31 | 45 | 38 | MMIC | SMT | Beurteilungsausschuss | |
CMPA851A012S | 8.5-10 | 20 | 29 | Anfrage | 28 | MMIC | SMT | K.A. | Neu! Höchster Wirkungsgrad GaN |
CGHV1F025S | 8.9-9.6* | 25 | 11 | 51 | 40 | Transistor | SMT | Beurteilungsausschuss | *abgestimmt 8,9-9,6GHz EVB |
CGHV1J025D | DC-18 | 25 | 17 | 60 | 40 | Transistor | Die | K.A. | |
CMPA601C025F | 6-12 | 25 | 33 | 32 | 28 | MMIC | Flansch | Beurteilungsausschuss | |
CMPA801B030F1 | 8-11 | 37 | 21 | 44 | 40 | MMIC | Flansch | Beurteilungsausschuss | |
CMPA801B030S | 7.9-11 | 40 | 20 | 40 | 28 | MMIC | SMT | Beurteilungsausschuss | Auch erhältlich in |
CMPA901A035F | 9-10 | 40 | 34 | 35 | 28 | MMIC | Flansch | Beurteilungsausschuss | |
CMPA851A025S | 8.5-10 | 40 | 29.5 | Anfrage | 28 | MMIC | SMT | Beurteilungsausschuss | Neu! Höchster Wirkungsgrad GaN |
CGHV96050F2 | 7.9-11 | 50 | 10 | 55 | 40 | IMFET | Flansch | Beurteilungsausschuss | 50 Ohm I/O Anpassung. Testboard ohne Gerät verfügbar |
CMPA851A050F | 8.5-10.5 | 50 | 29 | Anfrage | 28 | MMIC | SMT | Beurteilungsausschuss | Neu! Höchster Wirkungsgrad GaN |
CGHV1J070D | DC-18 | 70 | 17 | 60 | 40 | Transistor | Die | K.A. | Geprüft bei 10 GHz. |
CMPA851A050S | 8.5-10.5 | 80 | 29 | Anfrage | 28 | MMIC | SMT | Beurteilungsausschuss | Neu! Höchster Wirkungsgrad GaN |
CGHV96100F2 | 7.9-9.6 | 100 | 10 | 45 | 40 | IMFET | Flansch | Beurteilungsausschuss | 50 Ohm I/O Anpassung. Testboard ohne Gerät verfügbar |
CGHV96130F | 8.4-9.6 | 130 | 7.5 | 42 | 40 | IMFET | Flansch | Beurteilungsausschuss | 50 Ohm E/A-Anpassung |
Zusätzliche Ressourcen
- Anfrage Verstärker Lineup
Wenden Sie sich an einen unserer Außendienstmitarbeiter und finden Sie die richtige MACOM X-Band-Verstärkerreihe für Ihre Anforderungen.
- MACOM Nichtlineare Modelle anfordern
Auf dem RF-Portal können qualifizierte Teilnehmer MACOMs Großsignal-Simulationsmodelle herunterladen, die bei der Entwicklung von Verstärkermodulen helfen können.
- Artikel: AESA-Hochleistungsradar-Designs
Galliumnitrid (GaN) auf einem Siliziumkarbid (SiC)-Substrat eignet sich besonders für Hochleistungsanwendungen wie Radar.
