Wenn in einem Grundlagenlehrgang Verstärker vorgestellt werden, geht man oft von idealen Transistoren aus. In den beiden vorangegangenen Artikeln dieser Serie über die Grundlagen von HF-Leistungsverstärkern (PA) wurden solche Annahmen getroffen, um die Verstärker auf der Grundlage der Gate-Vorspannung zu klassifizieren und ihre besten Wirkungsgrade zu berechnen. Würden diese Annahmen die Grundlage für die Auswahl der Betriebsart des Verstärkers oder der Gate-Vorspannung bilden, wären die Ingenieure in der Tat von den tatsächlichen Designs überrascht.
Der dritte und letzte Teil dieser Serie berücksichtigt reale Wellenformen und das Verhalten von Transistoren, indem er sich mit Gate-Biasing und Effizienz befasst.
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