Optimierung eines GaN-on-SiC-basierten RF-Verstärkers mit MACOM und RadioCarbon

Optimierung eines GaN-on-SiC-basierten RF-Verstärkers mit MACOM und RadioCarbon

2. Mai 2023

Luft- und Raumfahrt & Verteidigung

Die Vorteile von Wolfspeed-GaN-on-SiC-HF-Verstärkern sind hinreichend dokumentiert - sie bieten eine hervorragende Leistungsdichte, Zuverlässigkeit und einen besseren Wirkungsgrad als ihre herkömmlichen GaAs-basierten Gegenstücke. In dieser Arbeit wird ein GaN-on-SiC-basierter HF-Verstärker für 4,4-5,0 GHz Troposcatter-Anwendungen optimiert.

In diesem Beitrag werden die Auswahl der Komponenten, der Entwurf in einer simulierten Umgebung und die Implementierung der simulierten Schaltung in Hardware behandelt. Das primäre Entwicklungsziel war es, einen kompakten Leistungsverstärker zu entwerfen, der in ein von Richardson RFPD entworfenes RF-Front-End implementiert werden sollte. Abbildung 1 unten zeigt einen C-Band SATCOM PA als Beispiel, der in einem gelben Kasten dargestellt ist. Dieser Troposcatter-PA ist in der Lage, 50 W CW von 4,4 bis 5 GHz zu liefern und hat eine Linearitätsanforderung von weniger als 3 % EVM bei einem Verhältnis von Spitzenleistung zu mittlerer Leistung von 10 dB.

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