Der dritte und letzte Teil dieser Serie berücksichtigt reale Wellenformen und das Verhalten von Transistoren, indem er sich mit Gate-Biasing und Effizienz befasst.
Die HF-Leistungsverstärkung (PA) ist der Schlüssel zur Erfüllung der Anforderungen drahtloser Anwendungen, wie z. B. bei allgegenwärtigen Kommunikationstechnologien und Radar.
Laden Sie dieses Whitepaper herunter und erfahren Sie, wie Sie Datenblätter für Wolfspeed-Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) und Schottky-Dioden "entschlüsseln" können.
Beschleunigen Sie den Entwurfsprozess mit Simulationsergebnissen, denen Sie vertrauen können. SpeedFit 2.0 berechnet schnell die Verluste und schätzt die Sperrschichttemperatur für Leistungsgeräte.
Siliziumkarbid (SiC) bietet viele Verbesserungen gegenüber herkömmlichen Silizium (Si)-Komponenten und deckt ein breites Spektrum an Leistungsstufen und Anwendungen ab.