Los transistores de nitruro de galio de alta movilidad electrónica (HEMT) son cada vez más populares en el mundo de la electrónica debido a su rendimiento superior al de los transistores tradicionales basados en silicio. Los HEMT de GaN pueden funcionar a frecuencias de conmutación más altas, lo que permite a las industrias reducir el tamaño de los componentes electrónicos utilizados en el sistema. Su rendimiento térmico superior les ayuda en aplicaciones de alta potencia como trenes de potencia para vehículos eléctricos, líneas de transmisión y accionamientos de motores.
Esta nota de aplicación examina los tipos de pérdidas y las formas de garantizar una supervisión y un análisis adecuados de la distribución de pérdidas en los HEMT de GaN en paralelo.
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