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Wolfspeed amplía ahora las opciones de diseño de sistemas con el lanzamiento comercial de un conocido paquete refrigerado por la parte superior tanto en el mercado de la automoción como en el industrial. conocido paquete refrigerado por la parte superior para los mercados de automoción e industrial.
Ya sea SiC o GaN, los materiales de banda prohibida ancha impulsan los avances del futuro en los vehículos eléctricos, las energías renovables y la electrónica de última generación con una eficiencia y un rendimiento inigualables.
Este artículo explora los requisitos clave para el diseño de controladores de puerta aislados optimizados para dispositivos WBG, destacando los avances críticos que mejoran el rendimiento, la eficiencia y la fiabilidad.
Las placas de evaluación son esenciales para evaluar el rendimiento de los componentes. Nuestros expertos en diseño y Exeling han colaborado para crear una placa de evaluación de medio puente GaN.
Este informe actualiza la ARM, detallando el estado actual del mercado y la tecnología de la WBG, los cambios en los temas de la hoja de ruta...
Este libro blanco destaca la tecnología MOSFET de carburo de silicio (SiC) de cuarta generación de Wolfspeed, diseñada para aplicaciones electrónicas de alta potencia.
Los semiconductores de potencia refrigerados por la parte superior están ganando interés en la comunidad de diseño de electrónica de potencia. Las mejoras térmicas...
En este artículo se hace un repaso exhaustivo del estado actual de los supercondensadores y se destacan los principales factores de diseño que influyen en la fiabilidad de estos sistemas. de diseño que influyen significativamente en la fiabilidad de estos sistemas.
En este Tech Chat, representantes de Richardson RFPD y Exeling s.r.l, revisan una placa de evaluación de medio puente GaN co-desarrollada entre las empresas.
Razvan Rusu, director mundial de ingeniería de Richardson RFPD, comparte los aspectos más destacados de sus 35 años de carrera,...
Los dispositivos electrónicos que están próximos o comparten conductores comunes son susceptibles de sufrir interferencias electromagnéticas (EMI)...
En esta charla técnica, hablamos de cómo se comparan las emisiones EMI del carburo de silicio con las del silicio y de las ventajas que ofrecen los módulos SiC de Wolfspeed para compensar estas emisiones.
Descubra cómo los controladores de puerta aislados de alto rendimiento de Skyworks y los dispositivos GaN de 100V-150V de Innoscience lideran la generación de amplificadores de audio de alta fidelidad.
El carburo de silicio está permitiendo un cambio global hacia los accionamientos de motores industriales de baja tensión integrados, en los que el accionamiento y el motor se...
Vea la charla técnica a continuación, con Richardson RFPD FAE Michele Sclocchi y el Prof. Nicola Femia, presidente de IPERA S.r.l., destacando un nuevo curso de potencia GaN que tendrá lugar el 30 de mayo en el Airport Hotel Bologna en Italia.
Este artículo técnico destaca las soluciones de aislamiento de Skyworks y, en concreto, para diseños de cargadores de vehículos eléctricos con flujos de alimentación bidireccionales.
La fuente de energía AMR debe satisfacer unos requisitos comunes, independientemente de su uso, entre ellos una autonomía relativamente larga y facilidad y rapidez de carga.
La Unión Europea se ha fijado el objetivo a largo plazo de alcanzar la neutralidad climática en 2050. Con este objetivo en mente, ¿qué nuevas tecnologías y soluciones llevarán a Europa a la meta?
La tecnología mSiC de Microchip ha demostrado tener una excelente estabilidad del óxido de compuerta, una ventaja bastante útil para aplicaciones de alta potencia.
Como se cargan rápidamente, los supercondensadores permiten que un vehículo autoguiado funcione sin interrupciones, lo que reduce el tiempo de inactividad y aumenta la eficiencia operativa.

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Nuestro equipo de ingenieros de aplicaciones globales está a su disposición para responder a sus preguntas y garantizar que el diseño de su sistema de conversión de potencia o almacenamiento de energía cumpla sus expectativas de rendimiento. Si está pasando del silicio al nitruro de galio (GaN) o al carburo de silicio (SiC), le ayudaremos a identificar el dispositivo de conmutación adecuado para lograr la densidad de potencia y la mayor eficiencia que requiere su aplicación.