Innoscience - INN650D080BS

En stock: Innoscience 650V, 29A Transistor de potencia GaN-on-Si en DFN, encapsulado 8 x 8
RFPD
INN650D080BS: Transistor de potencia GaN-on-Si de 650 V y 29 A 

INN650D080BS: Transistor de potencia GaN-on-Si de 650 V y 29 A 

Transistor de potencia en modo de mejora de 650 V de GaN sobre silicio en encapsulado plano doble sin plomo (DFN) con un tamaño de 8 mm × 8 mm.
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  • Características
  • Transistor de modo de mejora-Interruptor de potencia normalmente apagado
  • Frecuencia de conmutación ultraalta
  • Sin gastos de recuperación
  • Baja carga de puerta, baja carga de salida
  • Cualificado para aplicaciones industriales según las normas JEDEC
  • Protección ESD
  • Conforme a RoHS, sin Pb y REACH
  • Detalles de la construcción
  • Convertidores CA-CC
  • Convertidores CC-CC
  • Tótem BCM/DCM PFC
  • Carga rápida de la batería
  • Conversión de potencia de alta densidad
  • Conversión de potencia de alta eficiencia
Pregunte a un ingeniero
  • Especificaciones
Parámetro
Valor
VDS,max
650V
RDS(on),max @ VGS = 6 V
80mΩ
QG,typ @ VDS = 400 V
6,2nC
ID,pulso
58A
QOSS @ VDS = 400 V
60nC
Qrr @ VDS = 400 V
0nC

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Acerca de nuestro equipo de expertos

Nuestro equipo de ingenieros de aplicaciones globales está a su disposición para responder a sus preguntas y garantizar que el diseño de su sistema de conversión de potencia o almacenamiento de energía cumpla sus expectativas de rendimiento. Si está pasando del silicio al nitruro de galio (GaN) o al carburo de silicio (SiC), le ayudaremos a identificar el dispositivo de conmutación adecuado para lograr la densidad de potencia y la mayor eficiencia que requiere su aplicación.
 
Logotipo de la RFPD de Richardson

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