Descubra MicrochipLos versátiles módulos de potencia IGBT 7 de Microchip ofrecen una mayor capacidad de corriente, menores pérdidas y alta eficiencia en múltiples opciones de encapsulado. Con tensiones de 1200 V a 1700 V y corrientes de hasta 900 A, estos módulos ofrecen potencia, precisión y rendimiento para diversas aplicaciones.
Cartera IGBT 7 - Microchip
La nueva cartera de IGBT 7 ya está disponible en siete paquetes de 49 piezas. Estos dispositivos presentan VCE(sat) y Vf más bajos, capacidad de sobrecarga a Tj 175 °C, capacidad de corriente un 50 % superior, mayor capacidad de control de dv/dt, suavidad de diodo en vacío mejorada y conducción más sencilla en comparación con las generaciones anteriores.
IGBT 7 Potencia, rendimiento y precisión
Características del dispositivo
- Menor tensión de estado activado VCE(sat) y Vf
- Capacidad de sobrecarga a Tvj,op = 175°C
- Mayor controlabilidad de dv/dt
- Diodo libre mejorado
- Optimizado para una conducción sencilla
Ventajas de la aplicación
- ~50% mayor corriente Vs IGBT4
- Salto de tamaño de cuadro
- Menor necesidad de conexión en paralelo
- Menos problemas de IEM
- Cubre Fsw bajo a medio
- ~15% menos de pérdidas frente a IGBT4
Ventajas para el cliente
- Alta densidad de potencia
- Menor coste del sistema
- Alta eficiencia
- Fiabilidad y durabilidad
- Facilidad de uso
- Mayor rapidez de comercialización
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