Módulos MOSFET SiC de Microchip

Una tecnología revolucionaria combina alto rendimiento y bajas pérdidas

Módulos MOSFET SiC de Microchip

  • Conmutación de alta velocidad
  • Bajas pérdidas por conmutación
  • Baja capacitancia de entrada
  • Alta densidad de potencia
  • Paquetes de bajo perfil
  • Inductancia parásita mínima
  • Lower system cost
  • Módulos estándar y personalizados
  • Más de 30 años de experiencia en diseño

Microchip Productos destacados

Número de pieza
Configuración
Tensión (V)
Rds(on) (mΩ)
Corriente (A)
Tc=80 C
Paquete
MSC100SM70JCU2
Boost chopper
700
15
97
SOT227
MSC100SM70JCU3
Buck chopper
700
15
97
SOT227
MSCSM70TAM19CT3AG
Puente trifásico
700
15
97
SP3F
MSCSM70TAM05TPAG
Tramo trifásico
700
5
273
SP6P
MSCSM70AM07CT3AG
Fase
700
5
276
SP3F
MSCSM70AM025CT6LIAG
Fase
700
2.5
538
SP6C LI
MSCSM70HM19CT3AG
Puente completo
700
15
97
SP3F
MSCSM70VM10C4AG
Fase de Viena
700
7.5
97
SP4
MSC130SM120JCU2
Boost chopper
1200
12.5
138
SOT227
MSC130SM120JCU3
Buck chopper
1200
12.5
138
SOT227
MSCSM120DAM11CT3AG
Boost chopper
1200
11
202
SP3F
MSCSM120SKM11CT3AG
Buck chopper
1200
11
202
SP3F
MSCSM120TAM31CT3AG
Puente trifásico
1200
25
71
SP3F
MSCSM120TAM11CTPAG
Tramo trifásico
1200
8.33
200
SP6P
MSCSM120AM16CT1AG
Fase
1200
12.5
138
SP1F
MSCSM120AM08CT3AG
Fase
1200
6.25
268
SP3F
MSCSM120AM027CD3AG
Fase
1200
2.7
584
D3
MSCSM120AM027CT6AG
Fase
1200
2.7
584
SP6C
MSCSM120AM02CT6LIAG
Fase
1200
2.1
754
SP6C Li
MSCSM120HM16CT3AG
Puente completo
1200
12.5
138
SP3F

Apoyo al diseño de energía y potencia

Permítanos evaluar su proyecto y ayudarle a llevar su visión al mercado con mayor rapidez.

Acerca de nuestro equipo de expertos

Nuestro equipo de ingenieros de aplicaciones globales está a su disposición para responder a sus preguntas y garantizar que el diseño de su sistema de conversión de potencia o almacenamiento de energía cumpla sus expectativas de rendimiento. Si está pasando del silicio al nitruro de galio (GaN) o al carburo de silicio (SiC), le ayudaremos a identificar el dispositivo de conmutación adecuado para lograr la densidad de potencia y la mayor eficiencia que requiere su aplicación.