Nuevos módulos flowNPC 2 para aplicaciones solares

De Vincotech
Nuevos módulos flowNPC 2 para aplicaciones solares

Nuevos módulos flowNPC 2 para aplicaciones solares

Máxima densidad de potencia, eficiencia excepcional con módulos híbridos de SiC para inversores solares de 1500 V.

Con una combinación de diodos SiC con los últimos IGBT de 950 V, el nuevo flowNPC 2 para inversores multistring de 1500 V admite 200 kVA y una potencia de salida superior. Mayor eficiencia y mejor gestión de la potencia: todo ello se traduce en el máximo rendimiento de su inversión y la de sus clientes.

Confíe en Vincotech, el experto en módulos de potencia SiC, para ayudarle a desplegar estas soluciones donde mejor le sirvan. Los componentes de SiC de Vincotech tienen múltiples proveedores, por lo que usted se beneficia de otro gran binomio: variedad y fiabilidad en la cadena de suministro.

Los módulos de potencia Vincotech son compactos, por lo que el diseño de su inversor solar le sacará el máximo partido.

¿Qué significa todo esto para ti? Que puedes exprimir más jugo del sol.

  • Retorno de la inversión maximizado: Chips optimizados para la eficiencia con diodos SiC e IGBT de 950 V
  • Cadena de suministro más segura: Los componentes de múltiples fuentes garantizan la flexibilidad
  • Diseño compacto y ligero: Sin componentes pasivos voluminosos
  • Menores costes de producción: Pasadores a presión y TIM preaplicado
  • flujo 2 paquete inductivo bajo
  • Última generación de IGBT de 950 V
  • Diodos SiC ultrarrápidos
  • Permite una tensión de 1500 VDC
  • Topología NPC de tres niveles de alta eficiencia
  • Paquete de baja inductividad
  • Placa base de forma convexa para un contacto térmico superior
  • Placa base de Cu
  • Sin daños en los orificios de la placa de circuito impreso para permitir su reutilización
  • Conexión fiable por soldadura en frío a la placa de circuito impreso
  • Alivio termomecánico de la fuerza de empuje y tracción
  • Solar

Vincotech Productos destacados

Número de pieza
Subtopología
Tensión (V)
Corriente (A)
Tecnología del chip principal
30-FT10NIA375F9-LQ08F08
NPC-KE-NTC
1500
375
IGBT ultrarrápido
30-FT10NIA400S7-LP59F08
NPC-Split-KE-NTC
1500
400
IGBT S7
30-FT12NIA150SH-LG09F08
NPC-Split-KE-NTC-Diodos en tándem
1500
150
IGBT4 HS
30-PT10NIA400S7-LP59F08Y
NPC-Split-KE-NTC
1500
400
IGBT S7

Apoyo al diseño de energía y potencia

Permítanos evaluar su proyecto y ayudarle a llevar su visión al mercado con mayor rapidez.

Acerca de nuestro equipo de expertos

Nuestro equipo de ingenieros de aplicaciones globales está a su disposición para responder a sus preguntas y garantizar que el diseño de su sistema de conversión de potencia o almacenamiento de energía cumpla sus expectativas de rendimiento. Si está pasando del silicio al nitruro de galio (GaN) o al carburo de silicio (SiC), le ayudaremos a identificar el dispositivo de conmutación adecuado para lograr la densidad de potencia y la mayor eficiencia que requiere su aplicación.