- Número de pieza Mfg: EAB450M12XM3
Wolfspeed ha desarrollado la plataforma de módulos de potencia HM para ofrecer las ventajas del carburo de silicio en aplicaciones sensibles a la densidad de potencia, manteniendo al mismo tiempo la compatibilidad con la placa base de un módulo de 62 mm. El encapsulado optimizado para SiC de la plataforma HM permite un funcionamiento de unión continua a 175 °C, con un sustrato de alimentación de nitruro de silicio (Si3N4) de alta fiabilidad para garantizar la robustez mecánica en condiciones extremas y una placa base ligera de AlSiC. El HM3 es perfecto para aplicaciones exigentes como equipos de pruebas industriales, fuentes de alimentación médicas, aeroespaciales y accionamientos de tracción.
- Características
- Huella de alta densidad de potencia
- Funcionamiento a alta temperatura de unión (175 C)
- Diseño de baja inductancia (6,7 nH)
- Implementa la tecnología MOSFET SiC de tercera generación de conducción optimizada
- Aislador de nitruro de silicio y placa base de cobre
Relacionado Contenido

MOSFET Wolfspeed Gen 4: potencia para un rendimiento real con eficiencia de última generación
Wolfspeed ha presentado su plataforma tecnológica Gen 4, diseñada para ofrecer un rendimiento, una durabilidad y una eficiencia revolucionarios para aplicaciones de alta potencia.
Diseño modular de referencia basado en SiC de 3,3 kV
Diseño de referencia de SiC orientado a aplicaciones de alta potencia como el planchado en frío para la reducción de emisiones y el factor de forma en sistemas de alimentación de tierra a barco.

Inversor trifásico de 2300 V de Wolfspeed
El diseño de referencia del inversor trifásico de 2300 V demuestra la sencillez del diseño y la escalabilidad de los nuevos módulos de potencia SiC sin placa base de 2300 V de Wolfspeed.