- Número de pieza Mfg: C3M0032120D
Wolfspeed amplía su liderazgo en tecnología SiC con la introducción de la familia de MOSFET de potencia de 1200 V más fiable y de mayor rendimiento del sector. Basada en la tecnología MOSFET planar de 3ª generación, el producto incluye un resistente diodo de cuerpo intrínseco que permite el funcionamiento en el 3er cuadrante sin necesidad de un diodo externo adicional. La nueva familia incluye el Rds(on) más bajo a 1200V en un encapsulado discreto con un Rds(on) plano a lo largo de la temperatura. Wolfspeed ha diseñado MOSFETs de 3ª generación con una mayor relación CGS/CGD para un mejor rendimiento de conmutación dura. Las aplicaciones de conmutación suave también pueden beneficiarse del comportamiento COSS más lineal. Los diseñadores pueden reducir el número de componentes pasando de topologías de tres niveles basadas en silicio a topologías más sencillas de dos niveles, gracias a la mejora del rendimiento de conmutación.
- Características
- MOSFET planar de 3ª generación probado y fiable con resistente diodo de cuerpo intrínseco (sin necesidad de diodo externo)
- Mínimo de 1200V Vbr en toda la gama de temperaturas de funcionamiento [-40C - 175C].
- Fácil de implementar - MOSFET totalmente encendido a +15V de accionamiento de puerta
- Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia de salida
- Alta tensión de bloqueo con bajo RDS(on)
- Diodo intrínseco rápido con baja recuperación inversa (Qrr)
- Fácil de poner en paralelo y sencillo de conducir
- Aplicaciones
- Sistemas de energía solar
- Recarga de vehículos eléctricos
- Sistema de alimentación ininterrumpida (SAI)
- SMPS
- Control de motores y accionamientos
- Almacenamiento de energía
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