Esta charla técnica se centra en algunas de las características únicas del control de los FET de potencia de nitruro de galio (GaN). Entre ellas se incluyen la revisión de los parámetros más críticos para seleccionar un driver aislado para transistores de potencia de GaN, por qué un tiempo muerto corto es especialmente importante en las aplicaciones de conmutación de GaN y si los drivers pueden funcionar a frecuencias de conmutación superiores a 500 kHz.
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