Comprensión, análisis y verificación experimental del rendimiento del GaN

Comprensión, análisis y verificación experimental del rendimiento del GaN

29 de abril de 2024

Nitruro de galio

Vea la charla técnica a continuación, con Richardson RFPD FAE Michele Sclocchi y Prof. Nicola Femia, presidente de IPERA S.r.l., destacando un nuevo curso de potencia GaN que tendrá lugar el 30 de mayo en el Airport Hotel Bologna en Italia.

El evento, "Comprensión, análisis y verificación experimental del rendimiento del GaNestá organizado por IPERA S.R.L. en colaboración con Teledyne LeCroy, Richardson RFPD y Vematron SRL. Está dirigido a personas que deseen mejorar sus habilidades en el diseño de sistemas de electrónica de potencia utilizando MOSFETs de potencia de GaN. Inscríbase en el curso en https://form.jotform.com/241073066778361.

Apoyo al diseño de energía y potencia

Permítanos evaluar su proyecto y ayudarle a llevar su visión al mercado con mayor rapidez.

Acerca de nuestro equipo de expertos

Nuestro equipo de ingenieros de aplicaciones globales está a su disposición para responder a sus preguntas y garantizar que el diseño de su sistema de conversión de potencia o almacenamiento de energía cumpla sus expectativas de rendimiento. Si está pasando del silicio al nitruro de galio (GaN) o al carburo de silicio (SiC), le ayudaremos a identificar el dispositivo de conmutación adecuado para lograr la densidad de potencia y la mayor eficiencia que requiere su aplicación.