Sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI)
Los dispositivos de banda ancha permiten sistemas SAI más pequeños, ligeros y eficientes

SAI industriales

Sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI)

La función principal de un SAI es proporcionar energía de reserva temporal en caso de pérdida de energía en las instalaciones. Los sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI) industriales son para uso en situaciones industriales/fabricantes, como instalaciones de plantas y fábricas. La continuidad del control de procesos es crítica en una amplia gama de segmentos industriales: Agua/aguas residuales, biotecnología/farmacéutica, transporte, química, alimentación y bebidas, semiconductores, automoción y energías renovables. Los equipos desplegados en estos segmentos suelen estar sometidos a entornos adversos, como amplios rangos de temperatura o características del aire con un elevado contenido de humedad y sal. Un diseño robusto del SAI es crucial para garantizar que los datos clave o el flujo de trabajo no se pierdan debido a un compromiso en los niveles de tensión de funcionamiento del sistema.

Los sistemas SAI en línea procesan toda la energía necesaria de la línea eléctrica y emiten una tensión de CA de alta calidad para las cargas críticas en caso de fallo de la red principal. El rectificador del SAI convierte la CA en CC y la batería almacena la CC. Véase la Figura 1, a la derecha.

La alta densidad de potencia es importante en estos diseños debido al espacio limitado en aplicaciones comunes como los centros de datos. La alta densidad de potencia se consigue, en parte, gracias a la eliminación de los voluminosos transformadores. En este caso, debe haber un neutro común entre los puertos de CA de entrada y salida debido a la importancia de la seguridad en los requisitos de conexión a tierra. Las frecuencias de conmutación más altas reducirán aún más el tamaño de estos sistemas.

Aparecen los transistores de potencia de banda ancha (WBG). El uso de dispositivos WBG permite crear sistemas SAI más pequeños, ligeros y eficientes gracias a una capacidad de conmutación más rápida con menores pérdidas de conmutación. La mayor eficiencia permite prolongar el tiempo de autonomía en comparación con dispositivos Si menos eficientes.

Figura 1: Diagrama de bloques del SAI en línea (Imagen de etechnog.com)

Market Watch estima que el mercado mundial de sistemas SAI alcanzará los 16.600 millones de dólares en 2027, prediciendo un crecimiento a una TCAC del 5,2% durante el periodo de análisis 2020-2027. EE.UU. representa más del 27% del tamaño del mercado mundial en 2020. Se prevé que China crezca a una CAGR del 8,4% para 2020-2027.

Tipos de topología SAI

En línea

Este tipo de SAI tiene la máxima protección. La salida es de onda sinusoidal y dispone de un conmutador de derivación automático para proteger el SAI en caso de fallo o sobrecarga. La salida se supervisa y, si se detecta un cortocircuito, el bypass envía la carga a la alimentación principal hasta que se elimina el fallo. La regulación de la tensión se consigue mediante el proceso AC-DC-AC. Véase la figura 1.

Fuera de línea

El SAI fuera de línea suministra alimentación de CA directamente a la carga conectando el interruptor de transferencia. En caso de fallo de alimentación, el SAI fuera de línea suministra la energía desde la batería de reserva. Una diferencia importante entre el SAI en línea y el SAI fuera de línea es la necesidad de un disipador de calor más grande en un SAI en línea. Dado que la corriente absorbida por la carga de CA fluye continuamente por todo el circuito, la temperatura del sistema aumenta. Por lo tanto, necesita disipadores de calor comparativamente más grandes y componentes que puedan soportar altas temperaturas y tolerar el flujo de corriente durante mucho tiempo. Debido a este requisito, el coste del SAI en línea aumenta considerablemente. Véase la Figura 2, a la derecha.

En espera

El SAI de reserva se utiliza normalmente para ordenadores personales. El interruptor de transferencia está configurado para seleccionar la entrada de CA filtrada como fuente de alimentación primaria y también cambia a la batería/inversor como fuente de reserva en caso de fallo de la fuente primaria de CA. En caso de fallo de alimentación, el interruptor de transferencia se abrirá para cambiar a la fuente de alimentación de reserva de la batería/inversor. El inversor sólo se pondrá en marcha cuando falle la alimentación. Las principales ventajas son la alta eficiencia, el pequeño tamaño y el bajo coste. Véase la figura 3, a la derecha.

Línea interactiva

Este tipo de SAI tiene una protección intermedia. La salida puede ser de onda senoidal, onda escalonada u onda cuadrada y no hay bypass automático. La regulación de la tensión se consigue mediante un Regulador Automático de Tensión (AVR)/Estabilizador Automático de Tensión (AVS) integrado. Véase la figura 4, a la derecha.

Figura 2: Diagrama de bloques del SAI fuera de línea (Imagen de etechnog.com)

Figura 3: Diagrama de bloques del SAI de reserva (Imagen de elprocus.com)

Figura 4: Diagrama de bloques del SAI interactivo (Imagen de elprocus.com)

Diseño tradicional de silicio

La mayoría de los sistemas SAI en línea actuales se basan en topologías de dos etapas sin transformador con un neutro común entre los puertos de CA de entrada y salida. Los sistemas SAI en línea de dos etapas y sin transformador suelen basarse en diseños de conmutación dura que utilizan conmutadores de cuatro cuadrantes. Estos interruptores introducen grandes inductancias de bucle de alta frecuencia, lo que limita la reducción del volumen del SAI al operar estas topologías a altas frecuencias de conmutación.


Sin embargo, estas topologías contienen componentes pasivos adicionales para lograr la conmutación suave o requieren un transformador para lograr un neutro común entre los puertos de CA de entrada y salida.

Los dispositivos de conmutación de silicio no pueden alcanzar la alta frecuencia que ofrecen los dispositivos de nitruro de galio y carburo de silicio, que ofrecen densidades de potencia y prestaciones óptimas.

Tipos de topología SAI

Figura 5: Topología de SAI de GaN con un único bus de CC que utiliza elementos de conmutación de medio puente (imagen de la referencia 1).

Los diseñadores actuales se ven obligados a conseguir una mayor densidad de potencia y una mayor eficiencia, pero las topologías estándar de Silicio están limitadas en sus capacidades de funcionamiento a alta frecuencia. El GaN y el SiC son más eficientes, más estables térmicamente y, sin duda, más aptos para su uso en dispositivos de potencia que exigen más carga o frecuencias más altas a temperaturas más elevadas que el Silicio.
 
Introduzca una topología de SAI en línea sin transformador de conmutación suave de GaN que permite una reducción significativa del tamaño al funcionar eficientemente a altas frecuencias de conmutación utilizando dispositivos de potencia de GaN. Véase la Figura 5, arriba.
 

El SAI propuesto emplea estructuras de medio puente de GaN estándar con un neutro común entre la entrada y la salida y es capaz de lograr un funcionamiento de conmutación de tensión cero (ZVS), en el modo de conducción límite, sin necesidad de un diseño de circuito complejo adicional. Este diseño emplea una nueva metodología de control para el SAI que cuenta con un controlador digital de modo dual para la etapa rectificadora PFC de entrada. El controlador digital regula la tensión de salida del convertidor a través de cargas resistivas y reactivas.

La etapa inversora (CC/CA) también funciona en modo dual, y un controlador digital regula la tensión de salida del convertidor a través de cargas resistivas y reactivas. Esta arquitectura de convertidor es capaz de suministrar 1 kVA de potencia de salida manteniendo un factor de potencia unitario a la entrada. Este SAI en línea de 1kVA basado en GaN funciona con la técnica de control propuesta en la referencia 1, y ha sido diseñado, construido y probado. El prototipo de SAI, operado hasta 2MHz, alcanzó una densidad de potencia de 26,4W/in3.

Ventajas adicionales de WBG Semiconductor

La referencia 2, a continuación, es un libro blanco de 2010 sobre los MOSFET de SiC de 1.200 V frente a los IGBT de silicio en aplicaciones SAI. Aunque se trata de un documento antiguo, y desde entonces el SiC ha aumentado considerablemente su ventaja sobre el Silicio, los resultados siguen mostrando por qué los dispositivos WBG mejoran enormemente la eficiencia y reducen las pérdidas de conducción y conmutación debido a sus características I-V de puerta y tensiones de puerta más altas. Los requisitos de corriente de puerta de los dispositivos de SiC también mejoran la eficiencia. La mayor capacidad de frecuencia del SiC y el GaN ayuda a reducir las pérdidas mejor que el silicio. La sustitución de los IGBT por SiC también permite reducir la potencia nominal en VA de los componentes pasivos.

Referencias

    1. Control de un sistema de alimentación ininterrumpida en línea monofásico de alta densidad de potencia basado en GaN, Danish Shahzad, Saad Pervaiz, Nauman Zaffar, Khurram K. Afridi, IEEE 2019.
    2. Performance Comparison of 1200V Silicon and SiC devices for UPS Application, James McBryde, Arun Kadavelugu, Bobby Compton, Subhashish Bhattacharya, Mrinal Das, Anant Agarwal, IEEE 2010

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Nuestro equipo de ingenieros de aplicaciones globales está a su disposición para responder a sus preguntas y garantizar que el diseño de su sistema de conversión de potencia o almacenamiento de energía cumpla sus expectativas de rendimiento. Si está pasando del silicio al nitruro de galio (GaN) o al carburo de silicio (SiC), le ayudaremos a identificar el dispositivo de conmutación adecuado para lograr la densidad de potencia y la mayor eficiencia que requiere su aplicación.