La próxima frontera en RF: matrices en fase, GaN sobre SiC y la carrera por el SWaP-C

Mira hacia arriba: miles de satélites transmiten banda ancha desde la órbita terrestre baja. Mira a tu alrededor: los radares que antes giraban sobre mástiles ahora orientan sus haces electrónicamente sin mover la antena, y los repetidores 5G amplían la cobertura de ondas milimétricas más allá de lo jamás visto. Detrás de cada uno de estos avances se esconde la misma revolución silenciosa en la cadena de señal de RF, y la misma presión implacable por ofrecer más rendimiento con menos tamaño, peso, consumo y coste. En esta sesión dinámica, desvelaremos cómo se construyen los sistemas de RF más exigentes de la actualidad. Descubrirás cómo funciona realmente la formación de haces y por qué un puñado de diodos de bajo coste puede ahora orientar un haz que antes requería una costosa matriz activa. Verás por qué el GaN sobre SiC se ha impuesto en los transmisores de alta potencia, mientras que el GaAs sigue dominando el silencioso mundo de los receptores de bajo ruido, y cómo los ingenieros mantienen las señales limpias en un espectro cada vez más saturado. Desde los front-ends de radar y los transmisores de aviónica de clase kilovatio hasta los componentes que deben soportar la radiación del espacio, seguiremos la señal de principio a fin, para terminar con las innovaciones que están reduciendo bancos de filtros enteros a una sola pieza y llevando el ruido de fase de los osciladores a nuevos mínimos. Trae tus preguntas más difíciles para la sesión de preguntas y respuestas en directo.

Principales conclusiones

• Cómo funciona realmente la formación de haces y qué arquitectura se adapta mejor a tu sistema
• Por qué unos pocos diodos de bajo coste pueden dirigir un haz: el auge de las matrices de metamateriales
• En qué aspectos destaca el GaN sobre SiC, en qué aspectos destaca el GaAs y por qué es importante para tu diseño
• Cómo mantener la calidad de las señales en un espectro cada vez más saturado
• Qué supone para los ingenieros de radiofrecuencia el paso de las antenas parabólicas giratorias a los sistemas AESA
• Cómo se fabrican los transmisores de aviónica de clase kilovatio a partir de transistores de GaN sobre SiC
• Cómo elegir componentes para aplicaciones espaciales, desde los COTS hasta los resistentes a la radiación
• Cómo los bancos de filtros en miniatura y los osciladores de bajo ruido de fase están reduciendo la cadena de señal

Presentador

Baljit Chandhoke, director de producto de productos de radiofrecuencia y microondas de Microchip

Baljit Chandhoke está impulsando la innovación en radiofrecuencia (RF) en el ámbito del 5G, las comunicaciones por satélite y las aplicaciones aeroespaciales y de defensa. Apasionado por la conectividad de última generación, dirige equipos que desarrollan soluciones de RF de alto rendimiento en colaboración con clientes de todo el mundo, definiendo estrategias competitivas, impulsando la adopción de diseños y marcando la pauta en los enfoques de comercialización. Ante la rápida evolución de la optimización de RF impulsada por la IA, la formación de haces y las arquitecturas definidas por software —que ofrecen oportunidades ilimitadas—, Baljit considera que el hecho de que las soluciones de semiconductores de RF sean esenciales para aplicaciones críticas es tanto un privilegio como una motivación para ampliar los límites de lo posible.

Es autor de numerosos artículos publicados en las principales revistas del sector y ha participado en diversas conferencias, consorcios, vídeos de YouTube y seminarios web sobre tecnologías y tendencias de RF. Antes de incorporarse a Microchip, Baljit ocupó puestos de responsabilidad en GlobalFoundries, Renesas (IDT), ON Semiconductor y Cypress Semiconductor. Posee un máster en Administración de Empresas (MBA) por la Universidad Estatal de Arizona, un máster en Telecomunicaciones por la Universidad de Colorado en Boulder y una licenciatura en Ingeniería Electrónica y de Telecomunicaciones por la Universidad de Bombay (India).