Soluciones innovadoras para la cadena de señal de radiofrecuencia en las comunicaciones por satélite, el sector aeroespacial y la defensa

11:00 h EDT (8:00 h PDT / 5:00 de la tarde CEST)

Los sistemas modernos de satélites, aeroespaciales, de defensa y 5G exigen cadenas de señales de RF que ofrezcan alta potencia, una linealidad excepcional y unos valores mínimos de SWaP-C. Este seminario web analiza las arquitecturas de formación de haces, los amplificadores de potencia de GaN sobre SiC y los componentes avanzados de RF que hacen posibles los sistemas de antenas en fase, de ondas milimétricas y de RF de próxima generación. Descubre cómo las soluciones innovadoras de RF están transformando el rendimiento en aplicaciones de misión crítica.

Visión general

Las comunicaciones por satélite, los radares aeroespaciales y de defensa, y la infraestructura 5G están evolucionando rápidamente hacia frecuencias más altas, anchos de banda más amplios y arquitecturas de formación de haces más complejas. Estas tendencias plantean exigencias sin precedentes a las cadenas de señal de RF, que requieren una mayor potencia de salida lineal, una mayor eficiencia y una reducción del tamaño, el peso, el consumo energético y el coste (SWaP-C). Este seminario web analiza las tecnologías de RF que hacen posible esta transformación. La sesión aborda las principales arquitecturas de formación de haces —incluidos los enfoques analógicos, digitales y basados en metamateriales— y explica sus ventajas e inconvenientes a nivel de sistema.

La solución de cadena de señal de RF de Microchip está cambiando las posibilidades en los sectores de las comunicaciones por satélite, el 5G, el sector aeroespacial y la defensa. Los asistentes comprenderán por qué el GaN sobre SiC se ha convertido en la tecnología preferida para los amplificadores de potencia de RF de alta potencia y alta linealidad utilizados en sistemas de satélite, aeroespaciales, de defensa y de 5G de onda milimétrica, que impulsan radares avanzados, enlaces de comunicaciones por satélite de potencia lineal y aplicaciones de 5G de banda ancha. El seminario web también analiza los parámetros críticos de rendimiento de RF, los requisitos de la etapa de entrada en las distintas bandas de frecuencia y soluciones innovadoras como los VCSO de ruido de fase ultrabajo, los filtros SAW miniaturizados, los bancos de filtros SAW conmutados y los diodos de RF MMSM. Tanto si está diseñando matrices en fase, sistemas de radar o infraestructura inalámbrica de próxima generación, esta sesión ofrece orientación práctica para construir cadenas de señal de RF robustas y de alto rendimiento.

Principales conclusiones

• Comprender las arquitecturas de formación de haces y sus ventajas e inconvenientes, comparando la formación de haces analógica, digital y con metamateriales para aplicaciones de satélite, radar y 5G.
• Descubre cómo el GaN sobre SiC permite una mayor densidad de potencia, eficiencia, ancho de banda y linealidad, al tiempo que cumple con los requisitos de SWaP-C, y por qué el GaN sobre SiC es fundamental para los sistemas de RF modernos.
• Descubre los requisitos de la sección frontal de RF en distintas aplicaciones y bandas de frecuencia. Descubre cómo varían la figura de ruido del amplificador de bajo ruido (LNA), la linealidad del amplificador de potencia (PA), la eficiencia y el rendimiento de conmutación en sistemas de satélites, aeroespaciales, de defensa y 5G.
• Aprovecha los componentes avanzados de RF para optimizar los sistemas. Comprende el papel que desempeñan los VCSO, los filtros SAW, los bancos de filtros conmutados y los diodos MMSM en las cadenas de señal de RF modernas.
• Abordar los nuevos retos de diseño relacionados con el espacio y los aspectos críticos para la misión. Evaluar soluciones de radiofrecuencia (RF) de uso comercial (COTS), tolerantes a la radiación y resistentes a la radiación para misiones en órbita terrestre baja (LEO), órbita terrestre media (MEO) y órbita geostacionaria (GEO).

Altavoz

Baljit Chandhoke, director de producto de productos de radiofrecuencia de Microchip

Baljit Chandhoke está impulsando la innovación en radiofrecuencia (RF) en el ámbito del 5G, las comunicaciones por satélite y las aplicaciones aeroespaciales y de defensa. Apasionado por la conectividad de última generación, dirige equipos que desarrollan soluciones de RF de alto rendimiento en colaboración con clientes de todo el mundo, definiendo estrategias competitivas, impulsando la adopción de diseños y marcando la pauta en los enfoques de comercialización. Ante la rápida evolución de la optimización de RF impulsada por la IA, la formación de haces y las arquitecturas definidas por software —que ofrecen oportunidades ilimitadas—, Baljit considera que el hecho de que las soluciones de semiconductores de RF sean esenciales para aplicaciones críticas es tanto un privilegio como una motivación para ampliar los límites de lo posible.

Es autor de numerosos artículos publicados en las principales revistas del sector y ha participado en diversas conferencias, consorcios, vídeos de YouTube y seminarios web sobre tecnologías y tendencias de RF. Antes de incorporarse a Microchip, Baljit ocupó puestos de responsabilidad en GlobalFoundries, Renesas (IDT), ON Semiconductor y Cypress Semiconductor. Posee un máster en Administración de Empresas (MBA) por la Universidad Estatal de Arizona, un máster en Telecomunicaciones por la Universidad de Colorado en Boulder y una licenciatura en Ingeniería Electrónica y de Telecomunicaciones por la Universidad de Bombay (India).