El objetivo de esta nota de aplicación es proporcionar a los usuarios de dispositivos de banda prohibida ancha de Cree una guía del rendimiento térmico de los transistores MESFET de SiC y HEMT de GaN de alta potencia. Explica la metodología que utiliza Cree para determinar los valores de resistencia térmica que figuran en sus hojas de datos. Como ocurre con todos los dispositivos semiconductores, la fiabilidad de los dispositivos MESFET de SiC y HEMT de GaN depende directamente de la temperatura máxima de funcionamiento del canal. Por lo tanto, es importante determinar, con un alto grado de confianza, cuál es la temperatura máxima del canal en modos de funcionamiento específicos, en particular para los productos que funcionan bajo CW y disipan grandes cantidades de energía térmica.