En la búsqueda de mayores velocidades de transmisión de datos para soportar una variedad de servicios inalámbricos y diferentes esquemas de transmisión, los diseñadores de sistemas se enfrentan a una mayor complejidad de los circuitos, pero deben cumplir presupuestos similares en cuanto a tamaño, potencia y coste. Si se añaden más canales transceptores en una torre de estación base se obtiene un mayor rendimiento, pero utilizar cada canal a un nivel de potencia de RF más alto es igualmente esencial para mantener la complejidad y el coste del sistema en niveles aceptables. Para obtener una mayor potencia de RF, los diseñadores de hardware no tienen muchas alternativas en su diseño de front-end de RF salvo recurrir a soluciones heredadas que necesitan una elevada potencia de polarización y complejos circuitos periféricos, lo que dificulta la consecución de los objetivos de diseño.

Analog Devices acaba de presentar un conmutador de alta potencia integrado con un amplificador de bajo ruido (LNA) en módulos multichip para sistemas dúplex por división de tiempo (TDD). La familia ADRF5545A/ADRF5547/ADRF5549 cubre bandas celulares de 1,8 GHz a 5,3 GHz y está diseñada de forma óptima para interfaces de antena M-MIMO. Al incorporar un conmutador de alta potencia en un proceso de silicio y un amplificador de bajo ruido de alto rendimiento en un proceso de GaAs, esta nueva familia de dispositivos ofrece una gran capacidad de manejo de potencia de RF junto con una alta integración sin ningún compromiso, lo que significa que es lo mejor de ambos mundos...