Una sala de exposiciones llena de gente, con los asistentes difuminados, y un gran stand de RichardsonRFPD con un logotipo en forma de ola azul verdosa en el lado derecho.

Visítenos en el stand 12070

Descubra las tecnologías de conmutación de RF más avanzadas, diseñadas para ofrecer un rendimiento, una fiabilidad y una eficiencia excepcionales en aplicaciones de última generación.
Descubre las nuevas soluciones de RF de alto rendimiento en IMS 2026: ven a verlas en directo en nuestro stand

Descubre las nuevas soluciones de RF de alto rendimiento en IMS 2026: ven a verlas en directo en nuestro stand

Únete a nosotros en IMS 2026, que se celebrará del 7 al 12 de junio de 2026 en Boston, Massachusetts, el principal evento mundial dedicado a la innovación en microondas y radiofrecuencia.

Aquí es donde los líderes del sector, los ingenieros y los pioneros de la tecnología se dan cita para dar forma al futuro de la conectividad. La edición de este año destaca los avances revolucionarios en los sectores aeroespacial, de defensa, de las comunicaciones y de los sistemas autónomos emergentes, todos ellos impulsados por el rendimiento de radiofrecuencia de última generación.

Visita nuestro stand 12070

Nuestro equipo de ingenieros de aplicaciones de campo y especialistas en ventas técnicas estará presente en el recinto para ayudarle a superar sus retos de diseño más complejos en materia de RF, microondas y sistemas de misión crítica. Acérquese al stand 12070 para:

  • Descubra las últimas innovaciones en drones, tecnología de radiofrecuencia avanzada, 5G, interconexión y soluciones pasivas diseñadas para los sectores de la defensa, las comunicaciones por satélite y entornos de misión crítica.
  • Obtenga demostraciones prácticas y orientación experta.
  • Discuta soluciones personalizadas para acelerar el desarrollo y la implementación de su programa.

Horario de la sala de exposiciones 

  • Martes, 9 de junio: de 9:30 a 17:00
  • Miércoles, 10 de junio: de 9:30 a 18:00
  • Jueves, 11 de junio: de 9:30 a 15:00

Tecnología de drones + Sorteo 

Descubre lo último en tecnología de drones en IMS 2026: desde componentes de radiofrecuencia de alto rendimiento que garantizan una comunicación sólida hasta soluciones resistentes y fiables diseñadas para misiones aéreas exigentes. Ya sea para vigilancia, defensa o autonomía, nuestra gama de productos ofrece precisión donde más importa.
Dron cuadricóptero negro con una cámara orientada hacia delante y tren de aterrizaje, visto desde delante/centro.

Visítanos en el stand 12070 para participar en nuestro sorteo exclusivo de drones.

Presentación de tecnología avanzada de radiofrecuencia  de marcas líderes del sector

Logotipo de Skyworks con un emblema azul y componentes semiconductores dispersos (chips y encapsulados).

Soluciones avanzadas de radiofrecuencia, sincronización y aislamiento

Acelera los diseños aeroespaciales con los y optoacopladores de alta fiabilidad de Skyworks para obtener un rendimiento rápido y constante en entornos exigentes.

El logotipo de MACOM a la izquierda, junto con varios chips semiconductores negros y un módulo de RF/microondas de cerámica blanca con la marca MACOM a la derecha

Soluciones de RF de GaN de alta potencia para aplicaciones de defensa

Las soluciones de GaN de MACOMLas soluciones de GaN de MACOM ofrecen alta potencia, eficiencia y rendimiento de banda ancha con un SWaP-C reducido para sistemas de RF avanzados.

El logotipo de Semi a la izquierda, con el nombre en rojo, y tres módulos de circuitos de RF/microondas (conectores SMA y chips) a la derecha, que representan la imagen de marca de la empresa y las placas de entrada.

RF de conmutación rápida para misiones críticas

pSemiofrece los últimos interruptores UltraCMOS® y UltraCMOS+™, que proporcionan alta potencia, conmutación rápida y un sólido rendimiento de RF con bajas pérdidas para aplicaciones de misión crítica.

Logotipo de UMS: un globo terráqueo azul con la inscripción «1996–2026» y el textoUnited Monolithic Semiconductors en naranja, junto a un chip IC negro con el emblema de UMS.

GaAs y GaN de radiofrecuencia para sistemas de alta frecuencia

UMS ofrece una amplia gama de LNA pHEMT de GaAs, GaN y amplificadores de alta potencia diseñados para sistemas SATCOM de última generación, enlaces ascendentes en banda Ka y sistemas de RF de banda ancha.

Logotipo de Guerrilla con el dibujo de una tarjeta de memoria microSD a la derecha.

Amplificadores de RF de banda ancha y alta linealidad

Los amplificadores de RF de Guerrilla ofrecen alta linealidad, cobertura de banda ancha, bajo ruido y eficiencia optimizada para aplicaciones 5G, IoT, de infraestructura y de front-end de RF.

El logotipo de Ampleon a la izquierda, con tres paquetes de transistores de potencia de RF en ángulo sobre un fondo blanco, y los módulos del producto a la derecha.

Dispositivos avanzados de potencia de RF de GaN y LDMOS

Explora Ampleon Soluciones de RF de GaN y LDMOS que ofrecen un rendimiento de alta eficiencia y alta potencia para aplicaciones de infraestructura inalámbrica, industriales y científicas en todo el mundo.

Logotipo de TT Technologies con un logotipo tipográfico azul y bloques tridimensionales grises y amarillos que flotan a la derecha, lo que sugiere un diseño de hardware.

Componentes pasivos de radiofrecuencia de banda ancha para sistemas de alta frecuencia

Experiencia TTM Technologies Componentes de RF que ofrecen un rendimiento de alta potencia y pérdidas ultrabajas desde CC hasta 40 GHz para aplicaciones 5G, satelitales, de radar y de pruebas.

Logotipo de Samtec con letras naranjas junto a una selección de conectores eléctricos metálicos y un conector coaxial sobre fondo blanco

Soluciones de interconexión de radiofrecuencia de alta frecuencia

Samtec Las soluciones de interconexión de RF de Samtec ofrecen un rendimiento SMPM estable, lanzamientos de borde eficientes y cables Nitrowave™ con pérdidas ultrabajas y estabilidad de fase, hasta 110 GHz.

Logotipo de Integra Power Devices con texto en turquesa, junto con módulos electrónicos con la parte superior amarilla y un patrón de placa de circuito impreso en amarillo

Soluciones de RF de alta potencia basadas en GaN sobre SiC para aviónica y radares

Ingeniero de Integra soluciones de RF de GaN sobre SiC de alta potencia que ofrecen hasta 10 kW, alta eficiencia y fiabilidad para aplicaciones de aviónica, radares y defensa.

Logotipo de la empresa con un diseño de un círculo azul que representa un circuito y un logotipo tipográfico pixelado junto a dos módulos de RF de cerámica blanca con contactos dorados, etiquetados como WPGM0206010M y WPGM0811100M.

Amplificadores de potencia MMIC de GaN para el sector aeroespacial y las comunicaciones por satélite

Wavepia Los amplificadores MMIC de GaN ofrecen un rendimiento de ganancia excepcional, una alta eficiencia de potencia añadida y opciones de implementación flexibles, lo que los hace ideales para las plataformas aeroespaciales, de defensa y satelitales de próxima generación.

Soluciones de interconexión y pasivas 

Descubra una amplia gama de componentes pasivos y de interconexión de baja y alta potencia, diseñados para aplicaciones de RF, microondas y ondas milimétricas de hasta 110 GHz. Estas soluciones incluyen conjuntos con fase estable y fase adaptada, diseñados para garantizar un rendimiento constante, tolerancias eléctricas estrictas y una alta repetibilidad en los exigentes sistemas de satélites, aeroespaciales y de comunicaciones de alta frecuencia.

Soporte de RF y microondas

Permítanos evaluar su proyecto y ayudarle a llevar su visión al mercado con mayor rapidez.

Acerca de nuestro equipo de expertos

Richardson RFPD tiene un equipo de más de 50 recursos técnicos disponibles para proporcionar asistencia de diseño en una variedad de temas. Aunque son demasiados para nombrarlos, hemos destacado temas específicos que proporcionan una representación de nuestro apoyo.