- RFPD
- Soluciones de RF y microondas
- Información sobre productos de RF
- GaN destacado para aviónica y radar
GaN destacado para aviónica y radar
Con décadas de experiencia en dispositivos de potencia de RF, Microchip ofrece productos de transistores discretos de RF y microondas pulsados y de onda continua de alto rendimiento, GaN sobre SiC, basados en transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) de hasta 14 GHz y amplificadores MMIC de hasta 32 GHz para su uso en aplicaciones aeroespaciales y de defensa, radares comerciales, comunicaciones y aplicaciones industriales. Estos dispositivos están disponibles en matriz desnuda, encapsulados QFN/DFN de plástico y encapsulados cerámicos de pastilla y brida, así como en paletas modulares de entrada/salida de 50 Ω.
Descargue la Guía de selección de GaN de Microchip
Transpondedores de aviónica
1011GN-1200V: HEMT de GaN de 1030-1090 MHz
- Ver más Amplificadores de potencia RF de Microchip
Radar primario de banda L
1214GN-1200VG: HEMT de GaN de 1,2-1,4 GHz
1011GN-1200V: HEMT de GaN de 1030-1090 MHz
El 1214GN-1200VG es un transistor HEMT de GaN sobre SiC de clase AB, de FUENTE COMÚN y con adaptación interna, capaz de proporcionar más de 16,3 dB de ganancia, 53% de eficiencia de drenaje, 1200 W de potencia de salida de RF pulsada a 300 μs de anchura de pulso, 10% de factor de trabajo en toda la banda de 1200-1400 MHz. El transistor dispone de preajuste interno para un rendimiento óptimo y es ideal para su uso en etapas de salida de radar primario pulsado en banda L.
Radar comercial y A&D
ICP0349P: Amplificador de potencia IC MMIC de GaN de 2 etapas a 2,7-3,5 GHz
El ICP0349P es un amplificador de potencia de 2 etapas, emparejado a 50 ohmios con condensadores de bloqueo de CC integrados y empaquetado en un QFN de plástico. Fabricado en un proceso de GaN sobre SiC de 0,25 um, el dispositivo funciona entre 2,7 y 3,5 GHz con más de 48 dBm de potencia de salida y un 60% de PAE, y es idóneo para aplicaciones de radar tanto comerciales como de defensa.
Radar de banda S
2729GN-300VP: Paleta amplificadora de potencia de 300 W, 50 V, 2700-2900 MHz
El 2729GN-300VP es un producto de paleta emparejado de entrada y salida de 50 ohmios en el que se utiliza el transistor 2729GN-300V. La construcción de la paleta emplea las mejores prácticas de fabricación, lo que da como resultado la más alta calidad y fiabilidad, al tiempo que ofrece los costes totales más bajos de los sistemas fabricados.
SATCOM, A&D, 5G
ICP2840-1-110I: 27,5-31 GHz 9 W GaN PA MMIC
El ICP2840 es un amplificador de potencia MMIC equilibrado en banda Ka que alcanza 39 dBm de potencia de salida saturada en funcionamiento en onda continua. Fabricado con tecnología GaN SiC, el ICP2840 funciona de 27,5 a 31 GHz con una PAE del 28% y una ganancia de señal pequeña de 24 dB.
Sistemas de comunicación y radar
ICP1639-1-110I: Amplificador de potencia RF de 14,5-17,5 GHz
El ICP1639-DIE es un amplificador de potencia MMIC de GaAs de tres etapas con una frecuencia de funcionamiento de 14,5-17,5 GHz. El PA tiene una potencia de salida saturada pulsada de 39 dBm y una ganancia de 20 dB.
