Los amplificadores de potencia, LNA, preescaladores y productos de control de Microchip ofrecen un rendimiento superior con alta ganancia, alta linealidad, buena eficiencia y bajo ruido. Muchos productos de RF de banda ancha de Microchip ofrecen una pendiente de ganancia positiva, que actúa como corrector de linealidad para ayudar a superar las pérdidas de señal del sistema. Esto ayuda a permitir rangos más largos y ofrecer más ancho de banda.
Amplificadores de potencia de RF lineales y de alta eficiencia
Microchip tiene un historial probado en el suministro de soluciones de amplificadores de potencia de RF en muchas frecuencias y niveles de potencia.Las tecnologías y productos de amplificadores de potencia de RF de Microchip soportan hasta 31 GHz, mejoran el SWaP (tamaño, peso y potencia), son altamente eficientes y proporcionan una fuerte característica de linealidad. Estos PA cumplen los exigentes requisitos de los sistemas para aplicaciones móviles, infraestructuras comerciales y diversos sistemas militares y espaciales, además de complementar una amplia gama de otras soluciones.
Número de pieza | Tecnología | Frecuencia mínima (MHz) | Frecuencia máxima (MHz) | Ganancia (dB) | Potencia añadida Eficiencia (%) | Tensión de alimentación (VCC) | Psat (W) | Tipo de envase | ICP1040-1-350I |  GaN sobre SiC | 7900 | 11000 | 22 | 40 | 28 | 12 | Plástico SMT |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ICP1044-1-350I | 7900 | 11000 | 22 | 35 | 28 | 25 | Plástico SMT | |
ICP1240-1-110I | 6000 | 18000 | 23 | 22 | 20 | 10 | Muere | |
ICP1240-1-451I | 6000 | 18000 | 23 | 22 | 24 | 10 | Cerámica con brida | |
ICP1543-1-110I | 12000 | 18000 | 22 | 30 | 24 | 20 | Muere | |
ICP2637P-1-351I | 23000 | 31000 | 23 | 25 | 28 | 5 | Plástico SMT | |
ICP2840-1-110I | 27500 | 31000 | 22 | 22 | 24 | 9 | Muere |
Amplificadores de potencia MMIC de GaAs
La cartera deproductos deamplificadores de potencia IC MMIC de GaAs de Microchip se dirige a una gran variedad de aplicaciones, como instrumentación, guerra electrónica, radar y comunicaciones por microondas. Esta cartera incluye amplificadores de potencia de banda ancha que abarcan desde CC hasta 70 GHz y se basanen tecnologías de proceso de alto rendimiento. Microchip ofrece numerosos productos de amplificación distribuida, incluidos MMIC líderes del sector que proporcionan características de alta eficiencia, linealidad y ruido de fase.
Número de pieza | Tecnología | Frecuencia mínima (MHz) | Frecuencia máxima (MHz) | Ganancia (dB) | Planitud de ganancia (dB) | Tensión de alimentación (VCC) | P1dB (dBm) | Psat (W) | Pavg (W) | Tipo de envase | MMA052PP45 |  GaAs | 0 | 24000 | 13.5 | 0.7 | 10 | 26.5 | 0.794 | QFN |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMA053PP5 | 0 | 10000 | 17 | 1 | 10 | 29 | QFN | |||
MMA051PP45 | 0 | 22000 | 14 | 0.5 | 10 | 30 | 1 | QFN | ||
MMA155PP5 | 0 | 16000 | 15 | 0.5 | 14 | 31.5 | 2 | QFN |
Amplificadores de bajo ruido MMIC de GaAs
La cartera de amplificadores de bajo ruido de Microchip abarca hasta 30 GHz y ofrece las mejores prestaciones de ruido y linealidad de su clase. Los amplificadores de RF de Microchip, con múltiples configuraciones de producto que van desde soluciones de troqueles hasta encapsulados de montaje superficial y QFN, también incluyen características críticas como topologías autoprotegidas, E/S de RF adaptadas internamente a 50 ohmios y corrección positiva de la pendiente de ganancia. Normalmente, se trata de componentes de alto rendimiento diseñados para su uso en receptores o transmisores. La cartera de amplificadores MMIC de bajo ruido de Microchip está dirigida a una amplia gama de aplicaciones, como pruebas y mediciones, 5G, guerra electrónica, radar y SATCOM.
Número de pieza | Tecnología | Frecuencia mínima (MHz) | Frecuencia máxima (MHz) | Ganancia (dB) | Planitud de ganancia (dB) | Figura de ruido (dB) | P1dB (dBm) | Salida IP3 (dBm) | Tensión de alimentación (VCC) | Corriente (Id) | Tipo de envase | MMA041PP5 | GaAs | 0 | 25000 | 17 | 0.5 | 2.5 | 19 | 36 | 7 | 150 | QFN |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMA047PP4 | 5000 | 14000 | 21 | 0.5 | 1.5 | 21 | 34 | 7 | 170 | QFN | |
MMA042PP4/TR | 2000 | 26000 | 18 | 0.75 | 3.5 | 15 | 26 | 6 | 120 | QFN |
Divisor de frecuencia MMIC / CI de preescalador
La cartera de preescaladores MMIC de Microchip se dirige a una amplia gama de aplicaciones, como guerra electrónica, radar, instrumentación y comunicaciones por microondas. Los dispositivos preescaladores de Microchip combinan un funcionamiento de alta frecuencia de hasta 40 GHz, la flexibilidad de dividir por muchas relaciones y un bajo ruido de fase SSB aditivo, que se combinan para lograr un excelente rendimiento de ruido del sistema. Además, Microchip ofrece entradas y salidas de terminación única para ayudar a reducir el número de componentes y el coste.
Detector de frecuencia de fase
En PFD1K de Microchip puede utilizarse como detector de frecuencia de fase de uso general con preescaladores integrados. Es ideal para aplicaciones de bucle de enganche de fase (PLL). Los preescaladores pueden programarse a una velocidad superior a 100 MHz, lo que lo convierte en una excelente opción para sintetizadores de frecuencia digitales de N fraccional.
Más información en Recursos
Transistores de potencia HEMT de GaN para RF/microondas
Microchip ofrece una amplia cartera de transistores de potencia de RF GaN sobre SiC para satisfacer las complejas necesidades de los mercados de aviónica, comunicaciones y radar.
Características y ventajas
Diodos de RF y microondas
La oferta de Microchip incluye conmutadores de diodos PIN de RF y microondas, limitadores, generadores de peine, atenuadores, desfasadores y detectores, en rangos de frecuencia de hasta 40 GHz.
Diodos de RF y microondas
Microchip sigue desarrollando soluciones de PIN y limitador de montaje superficial de bajo coste que ofrecen el sofisticado rendimiento asociado a los costosos conjuntos de chip y cableado.
Más información
Productos SAW
Microchip proporciona filtros SAW con funcionalidad de balun integrada (conversión de balanceado a single-ended) y soluciones para diferentes impedancias de terminación en los puertos de entrada y salida (por ejemplo, de 50 Ω a 200 Ω).
