MACOM ofrece una gama de productos de banda X de alto rendimiento con diversos niveles de potencia para optimizar el rendimiento del sistema, así como herramientas de apoyo para ayudar en el diseño y la integración del sistema.
Las soluciones de GaN sobre SiC de MACOM son idóneas para aplicaciones pulsadas y de onda continua en banda X. Con una variedad de niveles de potencia, alta ganancia/etapa y alta eficiencia de potencia añadida (PAE), las soluciones de MACOM admiten mejoras continuas en los puntos de referencia SWaP-C.
Principales ventajas
Características principales
Banda X Soluciones GaN sobre SiC
Número de pieza | Frecuencia (GHz) | Psat (W) | Ganancia (dB) | Eficacia (%) | Tensión | Dispositivo | Paquete | Junta de evaluación | Notas | CMPA851A005S | 8.5-10.5 | 4.5 | 31 | Solicitar | 28 | MMIC | SMT | N/A | Novedad GaN de máxima eficiencia |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CGHV1F006S | 8.4-9.6* | 7 | 14.5 | 52 | 40 | Transistor | SMT | Junta de evaluación | *Tuned EVB 8.5-9.6GHz EVB |
CMPA901A020S | 9-10 | 20 | 31 | 45 | 38 | MMIC | SMT | Junta de evaluación | |
CMPA851A012S | 8.5-10 | 20 | 29 | Solicitar | 28 | MMIC | SMT | N/A | Novedad GaN de máxima eficiencia |
CGHV1F025S | 8.9-9.6* | 25 | 11 | 51 | 40 | Transistor | SMT | Junta de evaluación | *Tuned 8.9-9.6GHz EVB |
CGHV1J025D | DC-18 | 25 | 17 | 60 | 40 | Transistor | Muere | N/A | |
CMPA601C025F | 6-12 | 25 | 33 | 32 | 28 | MMIC | Brida | Junta de evaluación | |
CMPA801B030F1 | 8-11 | 37 | 21 | 44 | 40 | MMIC | Brida | Junta de evaluación | |
CMPA801B030S | 7.9-11 | 40 | 20 | 40 | 28 | MMIC | SMT | Junta de evaluación | También disponible en troquel |
CMPA901A035F | 9-10 | 40 | 34 | 35 | 28 | MMIC | Brida | Junta de evaluación | |
CMPA851A025S | 8.5-10 | 40 | 29.5 | Solicitar | 28 | MMIC | SMT | Junta de evaluación | Novedad GaN de máxima eficiencia |
CGHV96050F2 | 7.9-11 | 50 | 10 | 55 | 40 | IMFET | Brida | Junta de evaluación | 50 Ohm I/O Match. Placa de pruebas sin dispositivo disponible |
CMPA851A050F | 8.5-10.5 | 50 | 29 | Solicitar | 28 | MMIC | SMT | Junta de evaluación | Novedad GaN de máxima eficiencia |
CGHV1J070D | DC-18 | 70 | 17 | 60 | 40 | Transistor | Muere | N/A | Caracterizado a 10 GHz. |
CMPA851A050S | 8.5-10.5 | 80 | 29 | Solicitar | 28 | MMIC | SMT | Junta de evaluación | Novedad GaN de máxima eficiencia |
CGHV96100F2 | 7.9-9.6 | 100 | 10 | 45 | 40 | IMFET | Brida | Junta de evaluación | 50 Ohm I/O Match. Placa de pruebas sin dispositivo disponible |
CGHV96130F | 8.4-9.6 | 130 | 7.5 | 42 | 40 | IMFET | Brida | Junta de evaluación | 50 Ohm I/O Match |
Más información en Recursos
- Solicitar gama de amplificadores
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En el portal de RF, los usuarios registrados pueden descargar los modelos de simulación de grandes señales de MACOM, que pueden ayudar a diseñar módulos amplificadores.
- Artículo: Diseños de radares AESA de alta potencia
El nitruro de galio (GaN), cuando se implanta sobre un sustrato de carburo de silicio (SiC), es especialmente adecuado para aplicaciones de alta potencia como los radares.
