La necesidad de aumentar la eficacia, el ancho de banda y la densidad de potencia de los radares de banda X y las comunicaciones por satélite (SATCOM) está empujando a los proveedores de sistemas a adoptar nuevas tecnologías para hacer posibles los sistemas de nueva generación.
Richardson RFPD cuenta con una amplia cartera de productos y proporciona un extenso soporte técnico para el desarrollo de sistemas de banda X. Al dividir el desarrollo de radios de banda X en tres subsistemas (generación TX/LO, conversión de frecuencia y formación de haces), la información siguiente presenta varios enfoques de diseño a tener en cuenta.
Cada diagrama de bloques incluye ventajas y retos asociados, y la mayoría de los bloques son interactivos, con enlaces integrados a una selección de productos optimizados para aplicaciones de radar de banda X y SATCOM.
Banda X Subsistemas de circuitos
La generación de TX/LO, una función crítica en los circuitos de RF, proporciona una señal fuente de frecuencia estable a los mezcladores y otros componentes de conversión de frecuencia, para garantizar que las señales de RF se conviertan hacia arriba y hacia abajo con precisión.
Sin duda, los desarrollos más innovadores en radares de banda X son los sistemas phased array AESA, que se basan en circuitos integrados de formación de haces y módulos frontales de radiofrecuencia (FEM).
Tecnología Controladores
Conversión directa/FI cero
Las radios de banda X, inicialmente desplegadas en arquitectura de receptor superheterodino, están evolucionando hacia implementaciones de conversión directa/Zero-IF.
Integración de bajo consumo
Con la llegada de los circuitos integrados de formación de haces disponibles en el mercado, el phased array es mucho más sencillo de desarrollar e implantar. Múltiples convertidores de datos de alta velocidad en un solo paquete y circuitos integrados transceptores hacen posible las radios phased array.
SUSTITUIR GaAs POR GaN
El GaAs ofrece una excelente linealidad, pero la densidad de potencia y las mejoras de eficiencia del GaN, unidas a tensiones de polarización más altas, son a menudo una mejor opción, especialmente con las nuevas radios de banda X.Además, los dispositivos de transmisión de GaN están disponibles en FET de impedancia ajustada (IMFET) y combinaciones de amplificadores MMIC multietapa para ofrecer diversas opciones de despliegue.
TX / LO Generación
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Frecuencia Conversión
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Formación de haces
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Integrado Soluciones integradas
Número de pieza | Tipo de producto | Descripción | Disponibilidad | HMC8108LC5 | Downconverter | Convertidor de bajo ruido de 9 GHz a 10 GHz | Pedir / Más información |
|---|---|---|---|
HMC908ALC5 | Downconverter | Downconverter I/Q de 9 GHz a 12 GHz | Pedir / Más información |
HMC1113LP5E | Downconverter | Downconverter I/Q de 10 GHz a 16 GHz | Pedir / Más información |
CHR3662-QDG/20 | Downconverter | Downconverter integrado de 7 GHz a 16 GHz | Pedir / Más información |
ADRF6780ACPZN | Upconverter | Upconverter de microondas de 5,9 GHz a 23,6 GHz | Pedir / Más información |
ADAR1000ACCZN | Formador de haz | Formador de haz de banda X de 8 GHz a 16 GHz y 4 canales | Pedir / Más información |
ADTR1107ACCZ | Módulo frontal RF | PA/LNA/Switch FEM de 6 GHz a 18 GHz | Pedir / Más información |
1222 | Módulo amplificador RF | Amplificador de potencia de 250 W de 9 GHz a 10 GHz | Pedir / Más información |
