Dispositivos analógicos

En esta charla técnica se explica la inmunidad transitoria en modo de conmutación en relación con los controladores de puerta, así como la CMTI mínima del controlador de puerta necesaria para convertidores integrados con semiconductores de potencia de nitruro de galio (GaN) o carburo de silicio (SiC).
Con informes de pruebas, combine los controladores de puerta aislados de ADI con los MOSFETS y diodos Schottky de carburo de silicio de Wolfspeed.
El ADPA7006CHIP es un amplificador de potencia distribuido MMIC pHEMT de GaAs que funciona entre 18 GHz y 44 GHz.
El ADCA3992 es un amplificador híbrido duplicador de potencia de alta ganancia, optimizado para una amplia gama de condiciones de polarización para la eficiencia energética y la flexibilidad del cliente.
Este artículo describe la evolución a PHY remoto y cómo Analog Devices ha resuelto el reto de eficiencia y linealidad, utilizando un DPD propietario, con algoritmos y núcleo IP de ADI integrados dentro de la implementación FPGA existente del OEM.
ADRV9026BBCZ - Transceptor ADI
El ADRV9026, transceptor RF de banda ancha de 4ª generación de ADI, ofrece integración de cuatro canales con la solución de plataforma común de menor potencia y tamaño disponible para simplificar el diseño y reducir la potencia del sistema.
La serie de seminarios web "Walk Around the Block" aborda los retos de diseño y los temas de tendencia relativos a las aplicaciones de electrónica de potencia. En esta serie, nos centraremos en la carga rápida de vehículos eléctricos y destacaremos diversos temas de nuestros proveedores.
El ADMV4530 de Analog Devices es un convertidor ascendente altamente integrado con un mezclador I/Q que resulta ideal para las comunicaciones por satélite en banda Ka de próxima generación.
ADRV9009-ZU11EG de Analog Devices es un RF-SOM altamente integrado y personalizable basado en dos ADRV9009 sincronizados y Xilinx Zynq UltraScale+ MPSoC.
Esta charla técnica aborda los distintos niveles de accionamiento de puerta necesarios para un rendimiento óptimo de las tecnologías de silicio (Si), nitruro de galio (GaN) y carburo de silicio (SiC).