Cette carte d'évaluation démontre les performances de commutation et thermiques d'un MOSFET SiC C3M™ de 900V dans un D2PAK 7 broches (TO-263-7L) configuré dans une topologie en demi-pont. La carte est conçue pour caractériser les pertes EON et EOFF et les performances thermiques en régime permanent des MOSFET SiC. Le circuit imprimé contient des inserts AlN sous les MOSFETs pour fournir une isolation électrique et un transfert de chaleur optimisé vers le dissipateur thermique.
Ce modèle :
- Démonstration de l'utilisation d'un circuit imprimé à incrustation d'AlN pour la gestion thermique des dispositifs de puissance montés en surface
- Servent d'exemple d'agencement de circuits imprimés pour la commande de MOSFET SiC D2PAK
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