Esta placa de evaluación demuestra el rendimiento térmico y de conmutación del MOSFET SiC C3M™ de 900 V en un D2PAK de 7 patillas (TO-263-7L) configurado en una topología de medio puente. La placa está diseñada para caracterizar las pérdidas EON y EOFF y el rendimiento térmico en estado estacionario de los MOSFET de SiC. La PCB contiene inserciones de AlN bajo los MOSFET para proporcionar aislamiento eléctrico y una transferencia de calor optimizada al disipador de calor.
Este diseño:
- Demuestra el uso de una placa de circuito impreso con incrustación de AlN para la gestión térmica de dispositivos de potencia de montaje en superficie.
- Sirve como ejemplo de diseño de PCB para accionar MOSFETs SiC D2PAK
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