Modules de puissance SiC de Microchip

Pour les systèmes électriques des aéronefs

Dans la course à la réduction des émissions des systèmes aérospatiaux, les concepteurs s'orientent de plus en plus vers des systèmes de commande électroniques plus efficaces, y compris ceux qui remplacent les systèmes pneumatiques et hydrauliques, depuis les alternateurs embarqués jusqu'aux actionneurs et aux groupes auxiliaires de puissance.

Microchip Technology, en collaboration avec Clean Sky, membre du consortium de la Commission européenne, a mis au point une famille de modules de puissance à base de carbure de silicium pour les applications aérospatiales, afin de permettre une conversion de puissance et des systèmes d'entraînement de moteur plus efficaces et plus compacts. Les modules, appelés BL1, BL2 et BL3, utilisent un mélange de MOSFET en carbure de silicium (SiC) de 1200 V et de diodes de 1600 V sur un substrat modifié conçu pour les applications aéronautiques difficiles.

Puce électronique Produits en vedette

Numéro de pièce
Configuration
Tension (V)
Rds(on) (mΩ)
Courant (A)
Type de silicium
Paquet
MSCSM120AM31CTBL1NG
Jambe de phase
1200
25
79
MOSFET SiC
BL1
MSCSM120DAM31CTBL1NG
Hacheur de puissance
1200
25
79
MOSFET SiC
BL1
MSCSM120SKM31CTBL1NG
Hélicoptère Buck
1200
25
79
MOSFET SiC
BL1
MSCSM120DUM31CTBL1NG
Double source commune
1200
25
79
MOSFET SiC
BL1
MSCSM120HM31CTBL2NG
Pont complet
1200
25
79
MOSFET SiC
BL2
MSCSM120DHM31CTBL2NG
Pont asymétrique
1200
25
79
MOSFET SiC
BL2
MSCSM120DDUM31CTBL2NG
Double source commune
1200
25
79
MOSFET SiC
BL2
MSCSM120HM16CTBL3NG
Pont complet
1200
12.5
150
MOSFET SiC
BL3
MSCSM120DDUM16CTBL3NG
Double source commune
1200
12.5
150
MOSFET SiC
BL3
MSCGLQ50A120CTBL1NG
Jambe de phase
1200
2.05
110
TRANCHÉE 4 IGBT RAPIDE
BL1
MSCGLQ50DU120CTBL1NG
Double source commune
1200
2.05
110
TRANCHÉE 4 IGBT RAPIDE
BL1
MSCGLQ50H120CTBL2NG
Pont complet
1200
2.05
110
TRANCHÉE 4 IGBT RAPIDE
BL2
MSCGLQ50DH120CTBL2NG
Pont asymétrique
1200
2.05
110
TRANCHÉE 4 IGBT RAPIDE
BL2
MSCGLQ50DDU120CTBL2NG
Double source commune
1200
2.05
110
TRANCHÉE 4 IGBT RAPIDE
BL2
MSCGLQ75H120CTBL3NG
Pont complet
1200
2.05
160
TRANCHÉE 4 IGBT RAPIDE
BL3
MSCGLQ75DDU120CTBL3NG
Double source commune
1200
2.05
160
TRANCHÉE 4 IGBT RAPIDE
BL3
MSCDR90A160BL1NG
Jambe de phase
1600
1.3
90
Diode de redressement
BL1

Soutien à la conception dans le domaine de l'énergie et de la puissance

Donnez-nous l'occasion d'évaluer votre projet et de vous aider à mettre votre vision sur le marché plus rapidement.

À propos de notre équipe d'experts

Notre équipe d'ingénieurs d'application internationaux est à votre disposition pour répondre à vos questions et s'assurer que la conception de votre système de conversion d'énergie ou de stockage d'énergie répond à vos attentes en matière de performances. Si vous passez du silicium au nitrure de gallium (GaN) ou au carbure de silicium (SiC), nous vous aiderons à identifier le dispositif de commutation adéquat pour obtenir la densité de puissance et l'efficacité accrue dont votre application a besoin.