在减少航空航天系统排放的竞赛中，设计人员越来越倾向于在控制系统中采用更高效的电子设备，包括那些取代气动和液压系统的设备--从机载交流发电机到执行器和辅助动力装置的所有设备。
Microchip Technology 与欧盟委员会联盟成员 Clean Sky 合作开发了一系列基于碳化硅的航空应用电源模块，旨在实现更高效、更紧凑的电源转换和发动机驱动系统。这些被命名为 BL1、BL2 和 BL3 的模块采用了 1200V 碳化硅 (SiC) MOSFET 和 1600V 二极管的组合，并采用了专为严酷航空应用而设计的改良基板。
微型芯片 特色产品
部件编号 | 配置 | 电压 (V) | Rds(on) (mΩ) | 电流 (A) | 硅类型 | 包装 | MSCSM120AM31CTBL1NG | 阶段脚 | 1200 | 25 | 79 | SiC MOSFET | BL1 |
|---|---|---|---|---|---|---|
MSCSM120DAM31CTBL1NG | 升压斩波器 | 1200 | 25 | 79 | SiC MOSFET | BL1 |
MSCSM120SKM31CTBL1NG | 降压菜刀 | 1200 | 25 | 79 | SiC MOSFET | BL1 |
MSCSM120DUM31CTBL1NG | 双共源 | 1200 | 25 | 79 | SiC MOSFET | BL1 |
MSCSM120HM31CTBL2NG | 全桥 | 1200 | 25 | 79 | SiC MOSFET | BL2 |
MSCSM120DHM31CTBL2NG | 不对称桥 | 1200 | 25 | 79 | SiC MOSFET | BL2 |
MSCSM120DDUM31CTBL2NG | 双共源 | 1200 | 25 | 79 | SiC MOSFET | BL2 |
MSCSM120HM16CTBL3NG | 全桥 | 1200 | 12.5 | 150 | SiC MOSFET | BL3 |
MSCSM120DDUM16CTBL3NG | 双共源 | 1200 | 12.5 | 150 | SiC MOSFET | BL3 |
MSCGLQ50A120CTBL1NG | 阶段脚 | 1200 | 2.05 | 110 | 4 号壕沟快速 IGBT | BL1 |
MSCGLQ50DU120CTBL1NG | 双共源 | 1200 | 2.05 | 110 | 4 号壕沟快速 IGBT | BL1 |
MSCGLQ50H120CTBL2NG | 全桥 | 1200 | 2.05 | 110 | 4 号壕沟快速 IGBT | BL2 |
MSCGLQ50DH120CTBL2NG | 不对称桥 | 1200 | 2.05 | 110 | 4 号壕沟快速 IGBT | BL2 |
MSCGLQ50DDU120CTBL2NG | 双共源 | 1200 | 2.05 | 110 | 4 号壕沟快速 IGBT | BL2 |
MSCGLQ75H120CTBL3NG | 全桥 | 1200 | 2.05 | 160 | 4 号壕沟快速 IGBT | BL3 |
MSCGLQ75DDU120CTBL3NG | 双共源 | 1200 | 2.05 | 160 | 4 号壕沟快速 IGBT | BL3 |
MSCDR90A160BL1NG | 阶段脚 | 1600 | 1.3 | 90 | 整流二极管 | BL1 |
