- Numéro de pièce Mfg : C6D10065Q-TR
Grâce aux avantages d'une diode à barrière Schottky en carbure de silicium (SiC), les systèmes d'électronique de puissance peuvent espérer répondre à des normes d'efficacité plus élevées que les solutions à base de silicium, tout en atteignant des fréquences et des densités de puissance plus élevées. Les diodes SiC peuvent être facilement mises en parallèle pour répondre à diverses demandes d'application, sans risque d'emballement thermique. En combinaison avec les exigences de refroidissement réduites et les performances thermiques améliorées des produits SiC, les diodes SiC sont capables de fournir des coûts de système globaux inférieurs dans une variété d'applications diverses.
- Caractéristiques
- Faible chute de tension avant (VF) avec un coefficient de température positif
- Zéro courant de récupération inverse / tension de récupération avant
- Comportement de commutation indépendant de la température
- Boîtier à profil bas et faible inductance
- Applications
- Alimentations d'entreprise, de serveurs et de télécommunications
- Alimentations à découpage
- Alimentations industrielles
- Correction du facteur de puissance
- Diode de démarrage
- Serrage LLC
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