- Numéro de pièce Mfg : C3M0032120D
Wolfspeed étend son leadership dans la technologie SiC en introduisant la famille de MOSFET de puissance 1200V la plus fiable et la plus performante de l'industrie. Basé sur la technologie MOSFET planaire de 3ème génération, le produit comprend une diode de corps intrinsèque robuste qui permet un fonctionnement en 3ème quadrant sans avoir besoin d'une diode externe supplémentaire. La nouvelle famille comprend le Rds(on) le plus bas à 1200V dans un boîtier discret avec un Rds(on) plat en fonction de la température. Wolfspeed a conçu des MOSFET de 3ème génération avec un rapport CGS/CGD plus élevé pour de meilleures performances en commutation dure. Les applications à commutation douce peuvent également bénéficier du comportement plus linéaire du COSS. Les concepteurs peuvent réduire le nombre de composants en passant de topologies à trois niveaux basées sur le silicium à des topologies plus simples à deux niveaux rendues possibles par l'amélioration des performances de commutation.
- Caractéristiques
- MOSFET planaire éprouvé et fiable de 3ème génération avec diode de corps intrinsèque robuste (pas besoin de diode externe)
- Minimum de 1200V Vbr sur toute la plage de température de fonctionnement [-40C - 175C].
- Facile à mettre en œuvre - MOSFET entièrement activé par une commande de grille de +15V
- Commutation à grande vitesse avec une faible capacité de sortie
- Tension de blocage élevée avec un faible RDS(on)
- Diode intrinsèque rapide à faible récupération inverse (Qrr)
- Facile à mettre en parallèle et simple à conduire
- Applications
- Systèmes d'énergie solaire
- Chargement des VE
- Alimentation sans interruption (ASI)
- SMPS
- Contrôle des moteurs et entraînements
- Stockage de l'énergie
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