Wolfspeed - C6D08065Q-TR

Diode Schottky en carbure de silicium de 6e génération 650 V, 8 A
SiC en stock : Wolfspeed 650 V, 8 A en boîtier QFN 8×8

SiC en stock : Wolfspeed 650 V, 8 A en boîtier QFN 8×8

La technologie des diodes Schottky 650V en carbure de silicium (SiC) de Wolfspeed est optimisée pour les applications d'électronique de puissance à haute performance, notamment les alimentations de serveurs, les systèmes de charge de véhicules électriques, les systèmes de stockage d'énergie, les onduleurs solaires (PV) et l'électronique grand public.
  • Tension de blocage : 650 V
  • Courant nominal : 8 A
  • Tension directe : 1,27 V
  • Courant continu maximal (IF) : 8 A
  • Charge capacitive totale (QC (typ)) : 29 nC
  • Puissance totale dissipée (PTOT) : 92 W
  • Emballage : QFN
  • Qualification : Industriel

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Notre équipe d'ingénieurs d'application internationaux est à votre disposition pour répondre à vos questions et s'assurer que la conception de votre système de conversion d'énergie ou de stockage d'énergie répond à vos attentes en matière de performances. Si vous passez du silicium au nitrure de gallium (GaN) ou au carbure de silicium (SiC), nous vous aiderons à identifier le dispositif de commutation adéquat pour obtenir la densité de puissance et l'efficacité accrue dont votre application a besoin.