Redéfinir la performance et la durabilité dans les applications à haute puissance

Conçu pour améliorer globalement l'efficacité du système
RFPD
MOSFET Wolfspeed Gen 4 : des performances réelles grâce à une efficacité de nouvelle génération

MOSFET Wolfspeed Gen 4 : des performances réelles grâce à une efficacité de nouvelle génération

Wolfspeed a dévoilé sa plateforme technologique Gen 4, conçue pour offrir des performances, une durabilité et une efficacité révolutionnaires pour les applications à haute puissance.

Conçue pour simplifier le comportement de commutation et réduire la complexité de conception, la Gen 4 prend en charge une large gamme de produits, notamment des modules de puissance, des composants discrets et des puces nues, disponibles dans les classes 750 V, 1 200 V et 2 300 V.

Logo Wolfspeed

Pourquoi choisir le modèle industriel 1200 V GEN 4 ?  de Wolfspeed

Wolfspeed propose une nouvelle gamme de MOSFET en carbure de silicium (SiC) de 1 200 V optimisés pour les applications à haute puissance telles que les systèmes solaires et de stockage d'énergie, la recharge des véhicules électriques, les alimentations sans coupure (UPS), les entraînements de moteurs, les alimentations à découpage, les convertisseurs CC/CC haute tension, etc. Basés sur une nouvelle génération de technologies, les MOSFET SiC 1200 V de Wolfspeed offrent une gamme d'options de résistance à l'état passant qui permettent aux concepteurs de sélectionner le composant le mieux adapté à leurs applications. 

Performances de commutation améliorées

Réduction des pertes, efficacité accrue, fréquences de commutation plus élevées, composants passifs plus petits

Robustesse et fiabilité

S'appuyant sur les décennies d'expertise éprouvée de Wolfspeed dans le domaine du SiC et sur sa fiabilité à long terme sur le terrain

Un portefeuille - Tous les marchés

Construit sur 200 mm, large plage de tension de 650 V à 3300 V+

Compatibilité

Capacité d'activationde 15-18 VCC et de désactivation de 0 V…-5 V

Performance thermique

Fonctionnement plus froid, besoins de refroidissement réduits, durée de vie prolongée

Densité de puissance plus élevée

Systèmes plus légers et plus compacts

Industriel 1200 V GEN 4  Alternatives aux appareils GEN 3

Les MOSFET 1200 V sont conçus pour offrirun RDS(ON) ultra-faible et un rapportCGS/CGD accru afin d'améliorer les performances de commutation dure avec des pertes à l'activation réduites dans la zone de fonctionnement sécurisée. Les applications à commutation douce peuvent également bénéficier du comportementCOSS plus linéaire. Le gain d'efficacité obtenu en passant d'une solution à base de silicium à une solution à base de carbure de silicium peut contribuer à réduire la taille, le poids, la complexité de conception et le coût du système dans la plupart des applications à haute puissance.
J TO-263-7
J TO-263-7
J TO-263-7
Numéro de pièce
RDS(activé)(25 °C)
D
TO-247-3
K
TO-247-4
K1
TO-247-4 (LP)
J
TO-263-7

e J1 TO-263-7XL
J2
TO-263-7XL
U2
TSC
C3M0016120x
16mΩ
N/A
C4MS018120K*
C4MS018120K1*
C4MS018120J2*
C4MS018120U2*
C3M0021120x
21mΩ
N/A
C4MS025120K
C4MS025120K1
C4MS025120J2
C4MS025120U2
C3M0032120x
32mΩ
N/A
C4MS036120K
C4MS036120K1
C4MS036120J2
C4MS036120U2
C3M0040120x
40mΩ
N/A
C4MS047120K
C4MS047120K1
C4MS047120J2
C4MS047120U2
C3M0075120x
75mΩ
N/A
C4MS065120K
C4MS065120K1
C4MS065120J2
C4MS065120U2
C4MS080120K*
C4MS080120K1*
C4MS080120J2*
C4MS080120U2*

*Ces appareils seront commercialisés au cours du premier semestre de l'année civile 2026.
Remarque : ces recommandations peuvent varier en fonction des topologies d'application et des profils de mission spécifiques.

Technologie GeN 4 Ressources supplémentaires

Technologie au carbure de silicium de 4e génération :

Performances et durabilité dans les applications à haute puissance

Ce livre blanc présente la technologie MOSFET en carbure de silicium (SiC) de quatrième génération de Wolfspeed, conçue pour les applications électroniques de haute puissance. S'appuyant sur un héritage d'innovation SiC, Wolfspeed a régulièrement dévoilé des solutions technologiques de pointe redéfinissant les références de l'industrie. Avant la sortie de la Gen 4, les MOSFET SiC de troisième génération équilibraient des éléments de conception importants pour un large éventail de cas d'utilisation, établissant une référence pour des performances bien équilibrées dans les applications à commutation dure.
Télécharger le livre blanc

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À propos de notre équipe d'experts

Notre équipe d'ingénieurs d'application internationaux est à votre disposition pour répondre à vos questions et s'assurer que la conception de votre système de conversion d'énergie ou de stockage d'énergie répond à vos attentes en matière de performances. Si vous passez du silicium au nitrure de gallium (GaN) ou au carbure de silicium (SiC), nous vous aiderons à identifier le dispositif de commutation adéquat pour obtenir la densité de puissance et l'efficacité accrue dont votre application a besoin.
 
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