Redefiniendo el rendimiento y la durabilidad en aplicaciones de alta potencia

Diseñado para mejorar de manera integral la eficiencia del sistema.
RFPD
MOSFET Wolfspeed Gen 4: potencia para un rendimiento real con eficiencia de última generación

MOSFET Wolfspeed Gen 4: potencia para un rendimiento real con eficiencia de última generación

Wolfspeed ha presentado su plataforma tecnológica Gen 4, diseñada para ofrecer un rendimiento, una durabilidad y una eficiencia revolucionarios para aplicaciones de alta potencia.

Diseñado para simplificar el comportamiento de conmutación y reducir la complejidad del diseño, Gen 4 es compatible con una amplia gama de productos, incluidos módulos de potencia, componentes discretos y chips sin encapsular, disponibles en clases de 750 V, 1200 V y 2300 V.

Logotipo Wolfspeed

¿Por qué Industrial 1200V GEN 4?  de Wolfspeed

Wolfspeed ofrece una nueva familia de MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 1200 V optimizados para su uso en aplicaciones de alta potencia, como sistemas solares y de almacenamiento de energía, carga de vehículos eléctricos, sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS), accionamientos de motores, fuentes de alimentación conmutadas, convertidores CC/CC de alta tensión y mucho más. Basados en una nueva generación de tecnología, los MOSFET de SiC de 1200 V de Wolfspeed incluyen una gama de opciones de resistencia en estado activo que permiten a los diseñadores seleccionar la pieza adecuada para sus aplicaciones. 

Rendimiento de conmutación mejorado

Menores pérdidas, mayor eficiencia, frecuencias de conmutación más altas, componentes pasivos más pequeños.

Robustez y fiabilidad

Basado en las décadas de liderazgo probado de Wolfspeed en SiC y en su fiabilidad a largo plazo en el campo.

Una cartera: todos los mercados

Construido sobre 200 mm, amplio rango de voltaje de 650 V a 3300 V+.

Compatibilidad

Capacidad de encendidode 15-18 VCC y apagado de 0 V...-5 V.

Rendimiento térmico

Funcionamiento más frío, requisitos de refrigeración reducidos, mayor vida útil.

Mayor densidad de potencia

Sistemas más ligeros y compactos

Industrial 1200 V GEN 4  Alternativas para dispositivos GEN 3

Los MOSFET de 1200 V están diseñados para ofrecerun RDS(ON) ultrabajo y una mayor relaciónCGS/CGD, lo que mejora el rendimiento de conmutación dura con menores pérdidas de encendido dentro del área de funcionamiento seguro. Las aplicaciones de conmutación suave también pueden beneficiarse del comportamientoCOSS más lineal. La eficiencia obtenida al pasar de una solución basada en silicio a otra basada en carburo de silicio puede ayudar a reducir el tamaño, el peso, la complejidad del diseño y el coste del sistema en la mayoría de las aplicaciones de alta potencia.
J TO-263-7
J TO-263-7
J TO-263-7
Número de pieza
RDS (activado)(25 °C)
D
TO-247-3
K
TO-247-4
K1
TO-247-4 (LP)
J
TO-263-7
J1
TO-263-7XL
J2
TO-263-7XL
U2
TSC
C3M0016120x
16mΩ
N/A
C4MS018120K*
C4MS018120K1*
C4MS018120J2*
C4MS018120U2*
C3M0021120x
21mΩ
N/A
C4MS025120K
C4MS025120K1
C4MS025120J2
C4MS025120U2
C3M0032120x
32mΩ
N/A
C4MS036120K
C4MS036120K1
C4MS036120J2
C4MS036120U2
C3M0040120x
40mΩ
N/A
C4MS047120K
C4MS047120K1
C4MS047120J2
C4MS047120U2
C3M0075120x
75mΩ
N/A
C4MS065120K
C4MS065120K1
C4MS065120J2
C4MS065120U2
C4MS080120K*
C4MS080120K1*
C4MS080120J2*
C4MS080120U2*

*Estos dispositivos saldrán al mercado en el primer semestre del año fiscal 2026.
Nota: Estas recomendaciones pueden variar en función de las topologías de aplicación específicas y los perfiles de misión.

Tecnología GeN 4 Recursos adicionales

Tecnología de carburo de silicio de cuarta generación:

Rendimiento y durabilidad en aplicaciones de alta potencia

Este informe técnico destaca la tecnología MOSFET de carburo de silicio (SiC) de cuarta generación de Wolfspeed, diseñada para aplicaciones electrónicas de alta potencia. Basándose en un legado de innovación en SiC, Wolfspeed ha presentado regularmente soluciones tecnológicas de vanguardia que redefinen los puntos de referencia del sector. Antes del lanzamiento de la Gen 4, los MOSFET de SiC de tercera generación equilibraban importantes elementos de diseño para un amplio espectro de casos de uso, estableciendo un punto de referencia para un rendimiento completo en aplicaciones de conmutación dura.
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Nuestro equipo de ingenieros de aplicaciones globales está a su disposición para responder a sus preguntas y garantizar que el diseño de su sistema de conversión de potencia o almacenamiento de energía cumpla sus expectativas de rendimiento. Si está pasando del silicio al nitruro de galio (GaN) o al carburo de silicio (SiC), le ayudaremos a identificar el dispositivo de conmutación adecuado para lograr la densidad de potencia y la mayor eficiencia que requiere su aplicación.
 
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