Cette discussion technique se concentre sur certaines des caractéristiques uniques du pilotage des transistors de puissance au nitrure de gallium (GaN). Il s'agit notamment de passer en revue les paramètres les plus critiques pour la sélection d'un circuit d'attaque isolé pour les transistors de puissance au nitrure de gallium, d'expliquer pourquoi un temps mort court est particulièrement important pour les applications de commutation au nitrure de gallium et de déterminer si les circuits d'attaque peuvent fonctionner à des fréquences de commutation supérieures à 500 kHz.
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