Les semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium (SiC) et en nitrure de gallium (GaN) offrent des avantages considérables aux ingénieurs concepteurs, mais leurs capacités de commutation plus rapides posent certains problèmes. Cette discussion technique offre des conseils supplémentaires pour relever ces défis et garantir que les avantages du GaN et du SiC sont pleinement exploités.
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