碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体为设计工程师带来了巨大优势,但其更快的开关能力也带来了一些挑战。本技术交流会就如何应对这些挑战提供进一步指导,以确保充分发挥 GaN 和 SiC 的优势。
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