碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率半导体为设计工程师带来了巨大优势，但其更快的开关能力也带来了一些挑战。本技术交流会就如何应对这些挑战提供进一步指导，以确保充分发挥 GaN 和 SiC 的优势。
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