Conception de circuits à transistors robustes avec des IGBT et des MOSFET en carbure de silicium

Conception de circuits à transistors robustes avec des IGBT et des MOSFET en carbure de silicium

11 septembre 2022

Lors de l'évaluation de nouveaux circuits à transistors de commutation, seules les spécifications du transistor sont souvent prises en compte. Cependant, le circuit d'attaque joue un rôle très important dans la robustesse de la conception finale. Ce livre blanc présente quelques lignes directrices et conseils sur la manière de réduire les causes de défaillance et de simplifier la conception - avec des exemples d'application pour une meilleure compréhension.

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Notre équipe d'ingénieurs d'application internationaux est à votre disposition pour répondre à vos questions et s'assurer que la conception de votre système de conversion d'énergie ou de stockage d'énergie répond à vos attentes en matière de performances. Si vous passez du silicium au nitrure de gallium (GaN) ou au carbure de silicium (SiC), nous vous aiderons à identifier le dispositif de commutation adéquat pour obtenir la densité de puissance et l'efficacité accrue dont votre application a besoin.