Entwurf von robusten Transistorschaltungen mit IGBTs und Siliziumkarbid-MOSFETs

Entwurf von robusten Transistorschaltungen mit IGBTs und Siliziumkarbid-MOSFETs

11. September 2022

Bei der Bewertung neuer Schalttransistorschaltungen werden häufig nur die Transistorspezifikationen berücksichtigt. Die Treiberschaltung ist jedoch ein sehr wichtiger Faktor für die Robustheit des endgültigen Entwurfs. Dieses Whitepaper enthält einige Entwurfsrichtlinien und Ratschläge zur Verringerung von Fehlerursachen und zur Vereinfachung des Entwurfs - mit Anwendungsbeispielen für ein besseres Verständnis.

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Über unser Expertenteam

Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.