Nitrure de gallium (GaN)
Le nitrure de gallium, un semi-conducteur à large bande interdite, supplante rapidement le silicium comme matériau de choix pour les transistors de puissance. Grâce à leurs propriétés matérielles supérieures et à leur simplicité d'utilisation, les E-HEMT GaN de Gan Systems permettent aux concepteurs d'établir de nouvelles normes en matière d'efficacité, de densité de puissance, de taille et de poids.
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Innoscience
L'INN100W14 a été fabriqué à l'aide de matériaux de la plus haute qualité et des procédés de fabrication les plus récents, ce qui permet d'obtenir un appareil à la fois très efficace et très fiable.
- Technologie HEMT en mode E GaN sur silicium
- Deux voies, source commune
- Fréquence de commutation ultra élevée
- Temps de descente et de montée rapides et contrôlables
- Résistance ultra-faible
Innoscience
Transistor de puissance à mode d'amélioration de 650V en GaN sur silicium dans un boîtier double plat sans plomb (DFN) de 8 mm × 8 mm.
- Transistor à mode d'amélioration - Interrupteur de puissance normalement désactivé
- Fréquence de commutation ultra élevée
- Pas de frais d'autoliquidation
- Faible charge de grille, faible charge de sortie
Nitrure de gallium (GaN) Ressources
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