Comment optimiser un amplificateur RF à base de GaN sur SiC

Ce webcast vous présentera le processus d'optimisation d'un amplificateur RF équilibré de 50W avec des transistors GaN sur SiC HEMT. Nous donnerons un aperçu du réseau d'adaptation de l'étage final et de la disposition, ainsi que du réseau séparateur/combineur.

Nous discuterons également de l'importance des considérations thermiques et de l'analyse électromagnétique dans la conception, et nous offrirons une comparaison des performances modélisées et mesurées attendues. Enfin, nous montrerons un frontal RF entièrement intégré construit à partir de cette conception d'amplificateur équilibré et comment l'intégrer à un système radio sur module (SoM).

Les participants apprendront ce qui suit :

• Les mérites techniques des amplificateurs GaN sur SiC
• Travailler avec des modèles non linéaires et mettre en place des simulations
• Considérations thermiques pour les amplificateurs GaN
• Générer une simulation EM précise