GaN on SiCベースのRFアンプを最適化する方法

GaN on SiCベースのRFアンプを最適化する方法

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主催ウルフスピード

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GaN on SiCベースのRFアンプを最適化する方法について

このウェブキャストでは、GaN on SiC HEMTトランジスタを使用した50WバランスRFアンプの最適化プロセスについて説明します。最終段のマッチング・ネットワークとレイアウト、およびスプリッター/コンバイナー・ネットワークの概要を説明します。

また、設計における熱的考察と電磁気解析の重要性についても説明し、予想されるモデル化された性能と測定された性能の比較も行います。最後に、このバランス・アンプ設計から作られた完全集積RFフロント・エンドと、無線システム・オン・モジュール(SoM)との統合方法を紹介します。

参加者は以下について学ぶ:

  • GaN on SiCアンプの技術的メリット
  • 非線形モデルの取り扱いとシミュレーションの設定
  • GaNアンプの熱的考察
  • 正確なEMシミュレーションの生成

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